PFC（Power Factor Correction）-功率因数校正，功率因数，简单的说就是有功功率和视在功率的比值，这里的视在功率被认为是总耗电量，功率因数用来衡量电力被有效的利用程度。功率因数越大，代表电力的有效利用率越高，而功率因数校正就是为了提高用电设备功率因数。

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摘要: 功率转换器的功率密度越来越高，发热问题越来越严重，这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战。因而热问题的优化设计和验证变得比大功率器件的电模型更加重要，本文提出一种新的PSPICE模型，可以利用它计算MOSFET芯片在瞬变过程中的温度。本文提出的模型中所需要的热阻可以从制造商提供的产品使用说明书得到。本文介绍MOSFET的一种新的PSPICE 等效热模型，这个模型提供发热和电气参数之间的动态关系。这里提出的模型建立了与许可的热环境的关系，例如，栅极驱动电路、负载、以及散热器的分析与优化设计。可以利用这个模型来改善散热器的设计。由於决定功率损耗的参数参差不齐，与生产制造有

TC4426A/TC4427A/TC4428A 1.5A双高速功率MOSFET驱动器特性 • 峰值输出电流高：1.5A • 输入电源电压工作范围宽： - 4.5V 至 18V • 容性负载驱动能力强：25 ns 内 1000 pF （典型 值） • 延时时间短：30 ns （典型值） • 匹配的上升、下降和延时时间 • 电源电流低： - 对于逻辑 “1”，输入电流：1 mA （典型值） - 对于逻辑“0”，输入电流：100 µA （典型值） • 输出阻抗低：7Ω （典型值） • 锁定保护：能够经受 0.5A 的反向电流 • 输入能够经受住 高 5V 的负输入 • ESD 保护：4 kV • 与 TC426/TC427/TC428 和 TC4426/TC4427/ TC4428 引脚兼容 • 节省空间的 8 引脚 MSOP 和 8 引脚 6x5 DFN 封装 应用 • 开关式电源 • 线路驱动器 • 脉冲变压器驱动 基本说明 TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件是早先 TC4426/ TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进型。除了 匹配的上升和下降时间之外， TC4426A/TC4427A/ TC4428A 器件还具有匹配的上升和下降延时时间。 在额定功率和额定电压范围内的任何条件下，器件具有 很高的锁定阻抗。即便接地引脚上出现高达 5V 的干扰 尖峰（无论是正向还是反向），器件也不会损坏。器件 能够接受强行返回至输出的高达 500 mA 的反向电流 （无论极性如何），不会造成器件损坏或逻辑混乱。全部 引脚都是完全静电放电 （Electrostatic Discharge， ESD）保护的，能够承受至多 4 kV 的静电。 TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET 驱动器，能够 在 30 ns 之内，轻松地对 1000 pF 的门极电容进行充 电 / 放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗， 确保MOSFET的期望状态不受影响，即便发生大的暂态 也不会影响期望状态。 封装类型 注 1：DFN 封装裸露的焊垫是电气绝缘的。 8 引脚 DFN(1) NC IN A GND IN B 2 3 4 5 6 7 81 1 2 3 4 NC 5 6 7 8 OUT A OUT B NC IN A GND IN B VDD TC4426A TC4427A TC4426A TC4427A NC OUT A OUT B VDD TC4426A TC4427A TC4428A NC OUT A OUT B VDD TC4428A TC4428A NC OUT A OUT B VDD TC4426A TC4427A NC OUT A OUT B VDD TC4428A NC OUT A OUT B VDD 8 引脚 MSOP/ PDIP/SOIC 2006 Microchip Technology Inc. DS21423E_CN 第 1 页

这本《 Arduino快速功率MOSFET驱动器食谱》演示了三种廉价的选项来驱动大型功率MOSFET的快速运行。

MOSFET的传导损耗。 温度依赖性。

双极 PWM 开关全桥逆变器。 可用于演示调制指数、开关频率和滤波器设计的效果。

MOSFET选型教程,适用于各阶段电子工程师参考，文档讲的比较详细，是难得的资料。

MOSFET的Datasheet参数解释，详细讲解了如何解读MOS管的各个参数，对理解MOS的各个参数很有帮忙，值得一看

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