宏观行业研究方法华泰证券（天相投顾）-深度报告-外延式快速扩张的大型综合券商-100208.pdf
2021-05-12 12:02:54
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20210504-开源证券-巴比食品-605338-中小盘首次覆盖报告：中式早餐面点龙头，内生+外延双轮驱动扩张.pdf
2021-05-05 19:03:11
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20210422-兴业证券-中国中免-601888-离岛新政+线上平台创新促业绩高增，或外延并购优质渠道资源.pdf
2021-04-25 09:02:39
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具有低锡含量（0.5％）的Ge1-xSnx合金通过分子束外延在220°C至500°C的不同温度下直接生长在Si（1 0 0）衬底上。 测量了原位RHEED图案，AFM图像和HR-XRD曲线，以研究Ge0.995Sn0.005合金的表面形态和应变。 发现在合金沉积期间发生的表面粗糙随着生长温度TG的增加而增强。 在合金的低温异质外延生长过程中引入了压缩残余应变。 随着TG的增加，它逐渐释放，而拉伸热应变增加。 结果，如果TG足够高（> 420℃），则获得了拉伸面内应变。 还研究了退火温度TA的影响。 结果表明，在TA≤600°C时，合金的表面形貌和污点仅略有变化。 如果TA进一步增加，则表面粗糙度显着增加并且残留的异质外延应变基本上被释放。
2021-03-12 14:09:28
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MBE使用金属调制外延技术（MME）生长的高In含量的InGaN的生长和表征
2021-03-08 20:06:11
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用分子束外延(MBE)技术,在GaAa(100)衬底上生长了厚度从0.045 μm到1.4 μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-optical phonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的,这是由于界面失配位错引入外延层所致,理论分析与实验结果相吻合。
2021-02-13 11:04:57
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报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP基PIN光探测结构。其中的GaAs/Si异质外延生长, 采用中间刻槽工序实现了高质量、无裂纹的GaAs基外延层。制备的集成器件, 在波长1573.2 nm处, 获得了1.1 nm的光谱线宽以及9%的量子效率, 其中吸收层厚度为300 nm。
2021-02-10 12:03:38
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LDMOS器件设计中， 常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件， 围绕当获得最优的器件结构时， 其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究， 给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。经过大量的模拟仿真及数据分析， 发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终， 通过综合分析影响器件的关键因素， 得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。
2021-01-29 11:13:24
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