直流电沉积制备一维ZnSe半导体纳米材料.pdf
2021-08-30 09:06:12 220KB 半导体 导体技术 导体研究 参考文献
用分子束外延(MBE)技术,在GaAa(100)衬底上生长了厚度从0.045 μm到1.4 μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-optical phonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的,这是由于界面失配位错引入外延层所致,理论分析与实验结果相吻合。
2021-02-13 11:04:57 298KB 光学材料 ZnSe 拉曼光谱
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