传统的键盘显示驱动器件(如INTEL8279)通常采用并行接口，占用单片机至少10个I/0端口，因此该键盘显示驱动器不适用于单片机资源紧张的应用。而改进的采用SPI(Serial PeripIleral Interface)串行总线的ZLG7289器件与采用I2C(Intel IC Bus)串行总线的ZLG7290器件均须接入独立的晶体振荡器才能工作，不能直接支持RC振荡器电路，复位端必须接RC复位电路才使器件可靠复位，且片选端CS一般不可直接接地，否则显示可能出现闪烁，软件延时调试比较困难。而键盘显示驱动专用器件HD7279A则不存在这样的问题，能够稳定可靠工作，外围电路简单，可广泛应用于仪器仪表、工业控制器、条形显示器、控制面板等。这里给出了HD7279A接口的典型应用设计。

dynamic parametric test system for discrete semiconductors The ITC57300 Dynamic Parametric Test System mainframe accepts Test Heads that perform nondestructive transient measurements on semiconductor devices such as Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT), power MOSFETs, diodes, and other bipolar devices(requires additional optional bias power supplies and custom personality boards). Included in the mainframe are all test equipment and software necessary to analyze and perform resistive and inductive switching time, switching losses, gate charge, Trr/Qrr, and other transient tests. Test Heads, which are designed for a specific type of transient test, mate to a special Test Head Receiver on the mainframe. While Test Heads are designed to perform only one specific test, personality boards within each Test Head reconfigure the Test Head for a specific device, device package, and various device circuit arraignments.

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在CoolRunner-II器件的每个功能块中有16个独立的宏单元，每个宏单元由触发器、多路选择器及时钟资源等构成，如图1所示。 　　 图1 CoolRunner-II宏单元结构　　宏单元中的触发器可以构成普通的触发器、锁存器和双沿触发器（DualEDGE），双沿触发器的使用及丰富了CoolRunner-II的应用，节省了逻辑资源。例如利用双沿触发器可构成时钟的倍频器、移位寄存器、计数器及脉宽调制器（PWM）等，如图2所示。一般情况下，在普通的CPLD器件中使用触发器来实现信号的倍频功能需要占用较多的资源。 　　图2  CoolRunner-II的DualEDGE触发器和信号输出　

本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程，针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理，提出了一种降低表面电场，提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构。新结构通过在极化的AlGaN层中引入分区负电荷，辅助耗尽二维电子气，有效降低了引起器件击穿的栅极边缘高电场，并首次在漏极附近引入正电荷使漏端高电场峰降低。利用仿真软件ISE分析验证了AlGaN/GaN HEMTs器件具有的“虚栅”效应，通过电场和击穿特性分析获得，新结构使器件击穿电压从传统结构的257V提高到550 V。

第三讲-Silvaco-TCAD-器件仿真01.ppt

图1   TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 　　图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2，光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流，以二极管面积为20×20 ptm＇计算，输入光功率分别为4 pW（-23 dBm）和100 pW（-10 dBm），图中可见无光照的响应电流（对应暗电流）约为10-15A数量级，光照强度为1 Wcm2时产生0.16 μtA光电流，响应度为0.04 A/W。光照强度为25 W；cm＇时产生4.8 pA光电流，响应度为0.048 A/W。后者完够满足CMO

第三章 二维器件仿真 127 Warning: Convergence problem. Taking smaller bias step(s). Bias step reduced 3 times. Obtaining static solution: V( drain ) = 0.125 … Warning: Solution diverging. Potential update too large. Update: 8.30138e+006 Vstep: 40 Warning: Convergence problem. Taking smaller bias step(s). Bias step reduced 4 times. Obtaining static solution: V( drain ) = 0.0625 … Warning: Solution diverging. Potential update too large. Update: 19220.9 Vstep: 40 Warning: Bias step cut back more than 4 times. Cannot trap. 这个例子中当计算 1V 时势更新太大，然后折半到 0.5V 进行计算，接着是 0.25V、0.125V 和 0.0625V，到 0.0625V（折半四次）时结果仍然很粗糙，就报错了。 参数 maxtrap 可以增加 trap 的上限。在考虑使用 maxtrap 参数前读者需要先确认网格密 度是否合理，物理模型和迭代方法是否适当等。 例 3-51 maxtrap 增加 trap 次数。 method newton trap maxtrap=10 3.6 获取器件特性 实际情况下器件的特性都要通过仪器进行测试得到，测试结果通常是端电流电压特性， 可改变电信号（直流、交流、瞬态以及特征波形等等）、环境温度、光照、压力或磁场等得 到端电流电压随这些量的变化。ATLAS 进行器件仿真时也按照这种思路进行仿真，除了能 得到端的电学特性外，还能得到器件内部的信息（浓度分布，电势分布，电流密度…），这 是实际的测试仪器难以做到的。UTMOST III 可以直接导入 ATLAS 仿真的结果（也可以是 实际仪器测试的结果，如 KEITHLEY），从而提取器件对应的 Spice 模型的参数。 在仿真开始时电极都是零偏的，之后才会按照设置的方式将电流或电压步进式地加上 去。步进的步长是需要考虑的，步长太大容易不收敛（由于计算方法中的初始猜测策略）。 电压和电流的施加使用 solve 状态，log 和 save 是将计算得到结果分别保存为日志文件和结 构文件。Log 语句需要在 solve 之前，这样 solve 的数据才能得到保存。 例 3-52 计算 gate 电压为 0.1V 时的电学信息，保存到 log 文件，并保存结构文件，此时

运用DDS原理，进行任意波形发生器的设计，使得任意波形发生器兼顾DDS的优点。设计中通过实现DDS模块与单片机接口的控制部分将频率控制字由单片输入到输入寄存器模块，由相位累加器模块对输入频率控制字进行累加运算，输出作为双口RAM的读地址线，读数据线上即输出了波形幅度量化数据。其中双口RAM的内容由单片机进行更新，从而实现任意波形的发生。本设计中的相位累加器采用了8级流水线结构借助前5级的超前进位的方法，使得编译的最高工作频率由317.97 MHz提高到336.7 MHz， 实现了任意波形的发生，节约了成本，提高了开发周期，具有可行性。

电信设备中使用的光电器件的通用可靠性保证要求-GR468