1 引 言 目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多，在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大，功率损耗大等缺点，凭借其低廉的价格，CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内，逐渐取代GaAs MESFET LNAs。 由于LNAs通常位于整个接收电路的 级，由式（1）可以看出， 级的LNAs对于接收电路有很大的影响。所有在设计LNA电路时，应考虑降低噪
2021-10-26 13:13:17
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提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器（UWB LNA）。电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成，采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺，并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明，在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW。在3 GHz～5 GHz的超宽带频段内，增益约为13.5 dB，输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB，噪声系数（NF）为0.875 dB～4.072 dB，三阶交调点IIP3均值为5.35 dB。
2021-10-21 17:07:22
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包括传输线相关基础、射频通信电路相关基础知识(包含调制解调，发射机接收机结构，低噪声放大器，混频器，振荡器，锁相与频率合成技术，高频功率放大器)
2021-09-01 18:52:31
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XN115 高增益GPS低噪声放大器产品说明书Ver1510(1).pdf
2021-06-26 19:00:11
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随着无线通信事业的不断发展，人们对无线系统的射频接收机提出了越来越高的要求，如低功耗、低噪声、大动态范围、高灵敏度和高线性度等。因此，处于微波/射频接收系统最前端的低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）对于提高系统性能起到了关键作用，其性能指标的好坏对接收机整体性能有很大的影响。对于由多级放大器组成的接收系统，其整机噪声系数基本上取决于前级放大器的噪声系数。因而在传统上，LNA 匹配电路的设计应首先满足最佳噪声匹配原则，在此基础上，根据接收机设计指标由后级放大器提供足够高的功率增益。在LNA的设计过程中，有几个问题需要注意，其中包括：稳定性、噪声系数、增益、偏置电路和匹配电路等
2021-06-19 11:46:54
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