鉴于传统共源共栅低噪声放大器由于受共栅级的影响，其噪声和线性度都不理想，为此在共栅级上引入一对交叉耦合电容和电感，以消除共栅级的噪声并提高放大器的线性度．采用特许半导体公司0.25μm射频互补金属氧化物半导体工艺进行了设计，仿真结果表明低噪声放大器在2.4 GHz处的噪声系数仅有1.34 dB，该电路能够提供17.27 dB的正向增益、小于―38.37 dB的反向传输系数、小于―27.73 dB的输入反射系数、小于―15.85 dB的输出反射系数，该放大器的三阶交调点为0.58 dBm，消耗的功率为11.

具有有源和无源交叉耦合反馈的宽带低噪声放大器

基于ADS的4+GHz低噪声放大器设计

低噪声放大器是信号接收前段的重要部件，它的性能决定了整体接收机系统的信噪比。本文介绍了一种基于英飞凌公司的BFP740ESD放大器设计的宽带低噪声放大器的设计过程，采用2级芯片级联放大的方法，首先通过ADS2013建模仿真，确定放大器的原理图；然后根据原理图绘制PCB版图。实物测试结果得到，在2.3~2.5 GHz的范围内增益为32 dB左右。在室温下，噪声系数低于1.5 dB，在中心频率2.4 GHz时，输入端的S11达到-20 dB，达到预期设计要求，具有良好性能。

低噪声放大器（ LN A）是射频收发机的一个重要组成部分， 它能有效提高接收机的接收灵敏度， 进而提高收发机的传输距离。因此低噪声放大器的设计是否良好， 关系到整个通信系统的通信质量。本文以晶体管ATF54143 为例， 说明两种不同低噪声放大器的设计方法， 其频率范围为2~ 2. 2 GHz；晶体管工作电压为3 V；工作电流为40 mA; 输入输出阻抗为50Ω。 　　1  定性分析 　　1. 1  晶体管的建模 　　通过网络可以查阅晶体管生产厂商的相关资料， 可以厂商提供的该款晶体管模型， 也可以根据实际需要该管的S2P 文件。本例采用直接将该管的S2P文件导入到软件中， 利用S 参数

射频前端芯片主要应用于智能手机等移动智能终端，其技术创新推动了移动通信技术的发 展，是现代通信技术的基础。射频前端模块（RFFEM：Radio Frequency Front End  Module）是手机通信系统的核心组件，RFFEM 的性能直接决定了移动终端可以支持的通 信模式，以及接收信号强度、通话稳定性、发射功率等重要性能指标，直接影响终端用户 的通信质量。 射频前端模组介于天线部分与收发组件之间。手机射频前端主要包括功率放大器（Power  Amplifier）、天线开关（Antenna Switch）、滤波器（Filter）/双工器（Duplexer）、低噪声 放大器（LNA）等器

基于ADS低噪声放大器的设计 基于ADS低噪声放大器的设计 摘要:在接收系统中，低噪声放大器有着至关重要的作用，它用来降低系统的噪声， 提高接收机灵敏度，是接收系统的关键部件。本文主要讲述了低噪声放大器的技术指标 及设计方法，介绍如何使用ADS软件进行低噪声放大器的设计，优化，仿真；并对设计中 遇到的问题提出一点建议。 关键词：低噪声放大器；噪声系数；S参量；ADS； 增益 The Design Of Low Noise Amplifier Based On ADS Chen Xuemi 1, Tang Ruibo2 (Nanjing Changjiang Electronics Group Co.,Ltd.,Nanjing 210037) Abstract: The Low Noise Amplifier(LNA) plays an important role in the receive system. It’s used to reduce the sy

第六章 总结与展望 54 和基于字典学习和自相似性正则的图像去噪方法，以上方法均是在理想状态下进 行的，虽然得到较好的去噪效果，但存在算法运行时间过长的问题，其主要费时 环节是非局部自相似权重参数的计算。所以在实际应用中需要考虑到非局部自相 似权重参数计算的优化问题，即不但要获得高质量的恢复图像，还要加快去噪进 程，提高实用性。此外，在稀疏表示求解实际问题方面，还有很大的改进与应用 空间，例如，选择字典学习和稀疏分解算法的最优组合，找到一种最优的学习 APBT 类字典的方法，如何充分利用图像局部结构信息和非局部自相似性信息进 行图像去噪或者其他的图像应用，如何提高图像去噪的运行速度，如何将稀疏表 示和自相似性有效应用到乘性噪声的情况。总之，基于稀疏表示和自相似性的图 像去噪方法研究还有很多内容有待进一步探索。

本文讨论了一种增强型E-PHEMT管的宽带低噪声放大器设计，介绍了设计的具体流程和方法，并充分利用ADS仿真软件的各项功能对低噪声放大器进行优化设计，省去了复杂的理论分析计算，大大简化了设计过程，提高了工作效率，对低噪声放大器的CAD设计具有很大的现实意义

低噪声放大器（LNA）是现代微波通信、雷达、电子战系统中的重要部件，它处于接收系统的前端，对天线接收到的微弱射频信号进行线性放大，同时抑制各种噪声干扰，提高系统灵敏度。由于LNA在接收系统中的特殊位置和作用，该部件的设计对整个接收系统的性能指标起着关键作用。当今低噪声放大器主要采用单片微波集成电路（MMIC）技术，将所有有源器件（如双极性晶体管或场效应晶体管）和无源器件（如电阻器、电感器、电容器和传输线等）全部集成在一块半导体晶片上，以实现低噪声放大功能，具有尺寸小、重量轻、成本低及可靠性高的特点。