基于CMOS LNAs器件实现低噪声放大器电路的设计
1 引 言 目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多，在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大，功率损耗大等缺点，凭借其低廉的价格，CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内，逐渐取代GaAs MESFET LNAs。 由于LNAs通常位于整个接收电路的 级，由式（1）可以看出， 级的LNAs对于接收电路有很大的影响。所有在设计LNA电路时，应考虑降低噪
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