实测效果还是这个最好

IATF16949：2016最新解释 中文版(SIs 01-18) 最新有效文件于2020年1月生效

基于机械剥离Ga2O3/SiO2/Si结构的场效应晶体管的电学特性研究，王赫，梁红伟，通过机械剥离的方法，从氧化镓单晶衬底上获得氧化镓薄片并转移至二氧化硅/硅衬底上，制成了氧化镓背栅场效应晶体管。在器件的转��

信号完整性与电源完整性分析 第3版.pdf

Allegro PCB SI - 一步一步学会S参数在sigxplorer中的运用

Altium Designer信号完整性分析（机理、模型、功能） 在Altium Designer设计环境下，您既可以在原理图又可以在PCB编辑器内实现信号完整性分析，并且能以波形的方式在图形界面下给出反射和串扰的分析结果。 Altium Designer的信号完整性分析采用IC器件的IBIS模型，通过对版图内信号线路的阻抗计算，得到信号响应和失真等仿真数据来检查设计信号的可靠性。Altium Designer的信号完整性分析工具可以支持包括差分对信号在内的高速电路信号完整性分析功能。 Altium Designer仿真参数通过一个简单直观的对话框进行配置，通过使用集成的波形观察仪，实现图形显示仿真结果，而且波形观察仪可以同时显示多个仿真数据图像。并且可以直接在标绘的波形上进行测量，输出结果数据还可供进一步分析之用。 Altium Designer提供的集成器件库包含了大量的的器件IBIS模型，用户可以对器件添加器件的IBIS模型，也可以从外部导入与器件相关联的IBIS模型，选择从器件厂商那里得到的IBIS 模型。 Altium Designer的SI功能包含了布线前（即原理图设计阶段）及布线后（PCB版图设计阶段）两部分SI分析功能；采用成熟的传输线计算方法，以及I/O缓冲宏模型进行仿真。基于快速反射和串扰模型，信号完整性分析器使用完全可靠的算法，从而能够产生出准确的仿真结果。布线前的阻抗特征计算和信号反射的信号完整性分析，用户可以在原理图环境下运行SI仿真功能，对电路潜在的信号完整性问题进行分析，如阻抗不匹配等因素。 更全面的信号完整性分析是在布线后PCB版图上完成的，它不仅能对传输线阻抗、信号反射和信号间串扰等多种设计中存在的信号完整性问题以图形的方式进行分析，而且还能利用规则检查发现信号完整性问题，同时，Altium Designer还提供一些有效的终端选项，来帮助您选择最好的解决方案。

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Signal Integrity Issues and Printed Circuit Board Design by Douglas Brooks

matlab中AIC代码及实例合成生物学中优化设计的模型选择 这里提供了用于生成，分析和可视化本文中提供的数据的脚本。 使用脚本需要RStan软件包，该软件包可在以下链接获得： 以及使用贝叶斯优化程序包的链接： 对于Matlab工具箱AMIGO2，请参考： 贝叶斯案例的数据组织在以下子文件夹（Bayesian_MS目录）中： 推理： ODE_Model1.stan是由Lugagne等人发布的带有模型1（M1）的stan统计模型脚本，用于对来自[1]的实验数据进行贝叶斯推断。 ODE_Model2.stan ，带有模型2（M2）的stan统计模型脚本，用于对来自[1]的实验数据进行贝叶斯推断。 ODE_Model3.stan ，带有模型3（M3）的stan统计模型脚本，用于对来自[1]的实验数据进行贝叶斯推断。 MultiExtractExp.R脚本，用于访问[1]中的实验数据和实验方案，以在推理之前生成要传递给stan模型的适当对象列表。 使用脚本DataExtraction.m生成csv文件。 DataExtraction.m脚本，用于从[1]中提取所需的实验数据和实验配置文件。 m

设计了Si 衬底上Ge 薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构，理论计算了上下反射镜Si/SiO2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si/SiO2的对数分别为2 和3，Ge 薄膜的厚度为0.46 μm ，器件的台面面积小于176 μm2 时，探测器在中心波长1.55 μm 处的外量子效率达到0.64，比普通结构提高了30 倍，同时器件的带宽达到40 GHz。