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论文研究-基于机械剥离Ga2O3/SiO2/Si结构的场效应晶体管的电学特性研究 .pdf
论文研究-基于机械剥离Ga2O3/SiO2/Si结构的场效应晶体管的电学特性研究 .pdf
上传者:
39840515
|
上传时间: 2023-05-04 16:44:24
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文件大小: 719KB
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文件类型: PDF
场效应晶体管
基于机械剥离Ga2O3/SiO2/Si结构的场效应晶体管的电学特性研究,王赫,梁红伟,通过机械剥离的方法,从氧化镓单晶衬底上获得氧化镓薄片并转移至二氧化硅/硅衬底上,制成了氧化镓背栅场效应晶体管。在器件的转��
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