论文研究-基于机械剥离Ga2O3/SiO2/Si结构的场效应晶体管的电学特性研究 .pdf
基于机械剥离Ga2O3/SiO2/Si结构的场效应晶体管的电学特性研究，王赫，梁红伟，通过机械剥离的方法，从氧化镓单晶衬底上获得氧化镓薄片并转移至二氧化硅/硅衬底上，制成了氧化镓背栅场效应晶体管。在器件的转��
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