运算放大器的设计 单级差分运算放大器(电流镜做负载的差分放大器) 套筒式共源共栅CMOS运算放大器(单级) 折叠共源共栅CMOS运算放大器(单级) 两级CMOS运算放大器 Rail-to-Rail CMOS运算放大器 Chopper CMOS运算放大器
2021-06-18 22:12:18 1.88MB OPA
1
索尼IMX290 Diagonal 6.46 mm (Type 1/2.8) CMOS Solid-state Image Sensor with Square Pixel for Color Cameras
2021-06-18 18:48:14 1.53MB CMOS
1
OmniVision新款OS02C10图像传感器datasheet,加载超低光及Nyxel近红外成像技术
2021-06-18 09:03:38 2.02MB CMOS Sensor Nyxel近红外
1
最简单的制作CMOS OEIC的方法,就是利用CMOS工艺中能够很容易实现的pn结来作光电二极管,这其中包括源/漏-衬底pn结、源/漏-阱pn结,以及阱-衬底pn结。然而,这些pn结光电二极管通常位于没有电场分布的区域,在这些区域里,光生载流子的缓慢扩散运动限制了这些光电二极管的频率特性。已经报道的这种简单结构的CMOS OEIC的3 dB带宽都要小于15MHzH[49~51]。   CMOS工艺中源/漏-衬底和源/漏-阱pn结形成的光电二极管比较适合探测波长凡<600 nm的入射光,而阱-衬底pn结形成的光电二极管则更适合探测长波长光,比如780 nm或850 nm。图1 中给出了一个N+
2021-06-16 19:05:45 67KB 单阱CMOS工艺PN型光电二极管 其它
1
为了准确监测65 nm工艺的高速CPU芯片的工作温度,以保证CPU工作时风扇的运转以及过热报警,本文介绍了0.6μm的CMOS工艺设计实现的一种集成I2C总线通讯的具有远程测温功能的智能温度传感芯片.详细介绍了串联晶体管结构和△-∑A/D转换技术、非重叠的控制时钟和CMOS开关的消除电荷注入误差的设计,使温度精度达到0.2℃;输出数字信号与I2C总线通讯的接口设计简化了后续信号处理和接口电路设计.测试结果表明,检测的温度范围从-15℃到95℃,本地温度误差在1℃以内,远程温度误差在0.75℃以内.
2021-06-15 20:03:09 296KB 自然科学 论文
1
CMOS_Image_Sensor.pdf
2021-06-15 18:03:46 2.11MB CMOS
1
通过PLL实现AFC技术。
2021-06-15 09:01:58 2.26MB AFC PLL
1
艾伦Allen,CMOS模拟集成电路设计的学习笔记
2021-06-14 09:25:06 29.88MB 艾伦Allen 学习笔记 CMOS模拟集成电路
1
《CMOS模拟集成电路设计》是2007年电子工业出版社出版的图书,作者是艾伦。本书主要介绍了关于CMOS模拟集成电路设计的特点、原理和方法。
2021-06-14 09:15:00 26.37MB CMOS集成电路
1
二级CMOS放大器的电路与版图设计 通过使用 mentor 软件设计一个两级运算放大器 二级CMOS放大器的电路与版图设计 通过使用 mentor 软件设计一个两级运算放大器
2021-06-11 11:31:32 2.22MB CMOS 模拟IC 二级CMOS运放
1