单阱CMOS工艺PN型光电二极管
最简单的制作CMOS OEIC的方法，就是利用CMOS工艺中能够很容易实现的pn结来作光电二极管，这其中包括源/漏-衬底pn结、源/漏-阱pn结，以及阱-衬底pn结。然而，这些pn结光电二极管通常位于没有电场分布的区域，在这些区域里，光生载流子的缓慢扩散运动限制了这些光电二极管的频率特性。已经报道的这种简单结构的CMOS OEIC的3 dB带宽都要小于15MHzH［49~51］。
CMOS工艺中源/漏-衬底和源/漏-阱pn结形成的光电二极管比较适合探测波长凡＜600 nm的入射光，而阱-衬底pn结形成的光电二极管则更适合探测长波长光，比如780 nm或850 nm。图1 中给出了一个N+
CMOS工艺中源/漏-衬底和源/漏-阱pn结形成的光电二极管比较适合探测波长凡＜600 nm的入射光，而阱-衬底pn结形成的光电二极管则更适合探测长波长光，比如780 nm或850 nm。图1 中给出了一个N+
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