使用模糊非支配排序遗传算法对所提出的具有最小平均功率和延迟的双边沿触发静态 D 触发器中的 MOSFET 沟道宽度和电源电压进行多目标优化-II。
论文:使用模糊非支配排序遗传算法对所提出的具有最小平均功率和延迟的双边沿触发静态 D 触发器中的 MOSFET 沟道宽度和电源电压进行多目标优化-II
引文:Keivanian, F.、Mehrshad, N. 和 Bijari, A. (2016)。采用模糊非支配排序遗传算法-II对所提出的具有最小平均功率和延迟的双边沿触发静态D触发器的MOSFET沟道宽度和电源电压进行多目标优化。施普林格加,5(1),1-15。
2022-05-11 09:04:49
1.11MB
文档资料