场效应管二极管继电器晶闸管数码管电路Multisim仿真源码，Multisim10以上版本可打开运行 三极管验证测试电路.ms10 三极管验证测试电路.ms10 (Security copy) 二极管整流测试.ms10 二极管整流测试.ms10 (Security copy) 二极管测试电路.ms10 二极管测试电路.ms10 (Security copy) 光耦.ms10 光耦.ms10 (Security copy) 各种电压值的电路设计.ms10 各种电压值的电路设计.ms10 (Security copy) 场效应管测试.ms10 场效应管测试.ms10 (Security copy) 数码管测试电路.ms10 数码管测试电路.ms10 (Security copy) 晶闸管电路.ms10 晶闸管电路.ms10 (Security copy) 稳压分析.ms10 稳压分析.ms10 (Security copy) 结型场效应管.ms10 结型场效应管.ms10 (Security copy) 继电器电路.ms10 继电器电路.ms10 (Security copy)

完整英文版 IEC 60747-3：2013 Semiconductor devices - Part 3：Discrete devices：Signal, switching and regulator diodes（半导体器件 - 第3部分：分立器件：信号、开关和稳压二极管）。IEC 60747-3:2013给出了对以下设备的要求。 - 信号二极管（不包括设计在几百兆赫以上频率工作的二极管）。 - 开关二极管（不包括高功率整流二极管）。 - 电压调节器二极管；电压基准二极管。 - 电流调节器二极管。

完整英文版 IEC 60747-4：2017 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4：Microwave diodes and transistors(半导体器件 - 分立器件 - 第四部分：微波二极管和晶体管)。IEC 60747-4:2007+A1:2017 规定了对下列各类分立器件的要求：可变电容二极管和快断二极管、混频器二极管和检测器二极管、雪崩二极管、枪形二极管、双极晶体管和场效应晶体管。

完整英文版 IEC 60747-5-6：2021 Semiconductor devices - Part 5-6：Optoelectronic devices - Light emitting diodes（半导体器件 - 第5-6部分：光电器件 - 发光二极管）。IEC 60747-5-6:2021规定了一般工业应用中发光二极管（LED）的术语、基本额定值和特性、测量方法和质量评价，如信号、控制器、传感器等。 照明应用的LED不属于IEC 60747这一部分的范围。 LED的分类如下。 - LED封装。 - LED平面照明器。 - LED数字显示器和字母数字显示器。 - LED点阵显示器。 - 红外线发光二极管（IR LED）。 - 紫外线发光二极管（UV LED）。

完整英文版 IEC 60747-5-7：2016 Semiconductor devices - Part 5-7：Optoelectronic devices - Photodiodes and phototransistors（半导体器件 - 第5-7部分：光电器件 - 光电二极管和光电晶体管）。IEC 60747-5-7:2016规定了光电二极管（以下简称 "PD"）和光电三极管（以下简称 "PT"）的术语、基本额定值和特性以及测量方法。本标准取代了IEC 60747-5-1、IEC 60747-5-2和IEC 60747-5-3中描述的光电二极管和光电晶体管的条款，包括它们的修正案。IEC 60747-5-1、IEC 60747-5-2和IEC 60747-5-3，包括它们的修正案，由于重建，被IEC 60747-5-4、IEC 60747-5-5、IEC 60747-5-6和IEC 60747-5-7的出版物取代。

完整英文版 IEC 60747-5-8：2019 Semiconductor devices - Part 5-8：Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of optoelectronic efficiencies of light emitting diodes（半导体器件 - 第5-8部分：光电器件 - 发光二极管 - 发光二极管的光电效率的测试方法）。IEC 60747-5-8:2019规定了无荧光粉的单个发光二极管（LED）芯片或封装的各种效率的术语和测量方法。用于照明的白光LED不属于IEC 60747的这一部分的范围。本部分定义的效率的测量方法是功率效率（PE）、外部量子效率（EQE）、电压效率（VE）和光提取效率（LEE）。为了测量LEE，使用内部量子效率（IQE）的测量数据，其测量方法在IEC 60747-5-9和IEC 60747-5-10中讨论。注射效率（IE）和辐射效率（RE）仅给出定义。

完整英文版 IEC 60747-5-9：2019 Semiconductor devices：Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the internal quantum efficiency based on the temperature-dependent electroluminescence （半导体器件：光电子器件 - 发光二极管 - 基于随温度变化的电致发光的内部量子效率测试方法 ）。IEC 60747-5-9:2019(E)规定了无荧光粉的单个发光二极管（LED）芯片或封装的内部量子效率（IQE）的测量方法。用于照明的白光LED不属于本文件的范围。本文件利用在低温和工作温度下测量的相对外部量子效率（EQE），这被称为温度依赖性电致发光（TDEL）。为了确定100%的参考IQE，通过改变环境温度和电流找到EQE峰值的最大值。

完整英文版 IEC 60747-5-10：2019 Semiconductor devices - Part 5-10：Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the internal quantum efficiency based on the room-temperature reference point （ 半导体器件 - 第5-10部分：光电器件 - 发光二极管 - 基于室温参考点的内量子效率测试方法 ）。IEC 60747-5-10:2019(E)规定了无荧光粉的单个发光二极管（LED）芯片或封装的内部量子效率（IQE）的测量方法。用于照明的白光LED不属于本文件的范围。本文件仅利用在操作室温度下测量的相对外部量子效率（EQE）。为了确定参考IQE，找到对应于注入效率为100%的工作电流，辐射效率由该点的相对EQE的无穷变化决定。然后根据EQE与参考点数值的相对比值计算作为电流函数的IQE，这被称为室温参考点法（RTRM）。

完整英文版 IEC 60747-5-11：2019 Semiconductor devices - Part 5-11：Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of radiative and nonradiative currents of light emitting diodes（半导体器件 - 第5-11部分：光电子器件 - 发光二极管 - 发光二极管的辐射电流和非辐射电流的测试方法）。IEC 60747-5-11:2019(E)规定了单个发光二极管(LED)芯片或无荧光粉封装的辐射电流和非辐射电流的测量方法。用于照明的白光LED不属于本文件的范围。本文件利用内部量子效率（IQE）作为电流的函数，其测量方法在其他文件中讨论。

变容二极管直接调频电路设计3.0.zip