DRAM信号说明和测试； 实际测试DRAM信号和时序，包括CLK, CS#, CKE, RAS# , A0# , A1#, DQM#, MD_shortest, MD_longest 并结合实例说明分析debug过程。

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DRAM设计入门资料，适合学生和新进工程师

存储系统――缓存.DRAM.磁盘.(Memory.Systems-Cache.DRAM.Disk).Bruce.Jacob pdf文档)

什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH及区别

SDRAM时序内存详细图解剖析 ，值得看看

Memory Systems: Cache, DRAM, Disk is the fi rst book that takes on the whole hierarchy in a way that is consistent, covers the complete memory hierarchy, and treats each aspect in signifi cant detail. This book will serve as a defi nitive reference manual for the expert designer, yet it is so complete that it can be read by a relative novice to the computer design space. While memory technologies improve in terms of density and performance, and new memory device technologies provide additional properties as design options, the principles and methodology presented in this amazingly complete treatise will remain useful for decades. I only wish that a book like this had been available when I started out more than three decades ago. It truly is a landmark publication. Kudos to the authors.

图表示可以说是读取DRAM之前的准备状态，数据线与预充电电源相接，将数据线的电压设置为预充电电压，数据线借助寄生电容，即使将预充电开关设置为OFF，数据线的电压也会保持预充电电压（当然，由于存在漏电流因而会逐渐下降）。这样的操作称为预充电。          图 DRAM的读取（预充电） 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）  来源:ks99

战锤 RowHammer的内存测试仪。 （基于Memtest86 + v5.01构建。） RowHammer是一种新型的内存故障，仅在最近几代的DRAM芯片中才发现[1]。 仅从同一地址读取> 100K次，就有可能破坏附近地址中的数据。 从技术上讲，对同一DRAM行的重复“激活”会破坏相邻DRAM行中的数据。 RowHammer受到安全威胁，因为它允许恶意程序破坏内存保护。 这是因为不同的DRAM行被映射到不同的软件页面。 截至2014年中，该问题尚未得到很好的宣传。 入门 有两种启动测试的方法：从引导加载程序或从磁盘。 选项1：从引导程序（例如，GRUB2） $ cd rowhammer/src $ make $ sudo cp memtest.bin /boot $ sudo vi /boot/grub2/grub.cfg # add new en

这是关于用labVIEW来开发FPGA，读取DRAM数据和做FFT的程序。