2022年全国大学生电子设计大赛省赛A题 (交流电子负载)

mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 　　功率MOS管的导通电阻具有正温度系数，能够自动均流，因此可以并联工作。从MOSFET数据表的传输特性可以看到，25℃和175℃的VGS电压与ID电流值有一个交点，此交点的VGS为转折电压。在VGS转折电压以下的部分，RDS（ON）为负温度系数；而在VGS

带负载转矩前馈补偿的永磁同步电机FOC 1.采用滑模负载转矩观测器，可快速准确观测到负载转矩。 赠送龙伯格负载转矩观测器用于对比分析。 2.将观测到的负载转矩用作前馈补偿，可提高系统抗负载扰动能力； 提供算法对应的参考文献和仿真模型，支持技术解答。 拿后赠送PMSM控制相关电子文档。 仿真模型纯手工搭建，不是从网络上复制得到。

在流媒体系统中数据流量是非常巨大的，对于视频点播并发流的负载要求非常强大，单一服务器无法承担大量并发数据流的负载。对此，梭子鱼公司提出采用两台梭子鱼安全负载均衡机LB440的双机HA冗余结构，实现对后端多台流媒体服务器的实时负载均衡。

主控为N32G435单片机，包含普通USART+DMA的传输以及软件双缓冲模式，适合高负载环境下的串口通信，主要使用DMA的半完成和完成中断，可不占用单片机线程资源的情况下完成大量数据的接收，代码测试串口波特率为2.5M。

博科负载均衡服务器

模拟电路的稳定率问题是无处不在的，但在关键部位恰当地适用高质量的电阻器、电阻网络或微调电位计，可以大大提高电路的性能、应用的长期性能，也能让工程师放心地进行设计。 此外，如果一个经验丰富的设计工程师把钱集中花在少数负载偏差小、环境稳定率好的器件上，通常就不必再设计额外的补偿电路或温度控制系统，往往可以收到减少整体系统成本的功效。更高的可靠性和更好的整体系统性能也是优秀产品的要素，有助于提高产品销量和声誉。 Vishay Intertechnology公司新的高精密度Bulk Metal表贴Power Metal Strip电阻器在额定功率、+70℃条件下工作2000小时，负载寿命稳定率可以达到±0.05%，-55℃～+125℃温度范围内、+25℃参考温度，绝对TCR为±15PPM/℃，阻值精度为±0.1%。器件提供了1W的功率等级，在4端连接电路中的最大电流为18A。10mΩ～100mΩ阻值范围内的产品均已供货，无任何附加成本或额外交货时间。 CSM2512S的负载寿命稳定率比通常的检流电阻高一个数量级(0.05%比0.5%，经过1000小时使用)。在强制性平衡电子秤、开关线性电源、功

负载型纳米ZrO2复合载体的制备条件对CO2重整CH4制合成气的催化剂活性影响，李凝，罗来涛，在制备大孔氧化铝基载体的基础上，采用浸渍-沉淀法制备了负载型纳米ZrO2复合载体，并以此载体负载Ni制成催化剂用于CO2重整CH4制合成�

采用电泳沉积法在Ti片上制备TiN薄膜,在450℃下保温60min制备N掺杂TiO2薄膜（N-TiO2薄膜）,然后在不同浓度的AgNO3溶液中利用光还原沉积法制备负载Ag的N-TiO2薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）对薄膜进行表征,通过测试瞬态光电流密度研究薄膜的光电性能,并以罗丹明B为降解目标物评价薄膜的光催化活性,重点研究了负载Ag对N-TiO2薄膜光电和光催化性能的影响规律。结果表明:AgNO3溶液浓度为0.05mol·L-1时,Ag的负载量最为适宜,N-TiO2薄膜的光电及光催化性能最佳;负载Ag的N-TiO2薄膜在可见光下的瞬态光电流密度约为N-TiO2薄膜的5.4倍;负载Ag显著提高了N-TiO2薄膜的光催化性能,经过可见光照射180min后,薄膜对罗丹明B的降解率达到98%。

为了提高TiO2光催化剂日光催化性能及解决催化剂回收问题,采用微乳液法制备了La3+、Fe3+、Co2+、Ce4+共掺杂TiO2/粉煤灰微珠光催化剂,用紫外-可见分光光度计测定了光催化剂的可见光吸收性能,用能谱仪(EDS)分析了催化剂的元素含量,以甲基橙为模型污染物考察了催化剂的光催化性能。实验结果表明:掺杂复合粒子在可见光区吸光性能均高于TiO2/漂珠;且多元素掺杂有协同作用,催化剂的吸收边带红移更多,对可见光的吸收也更强。日光照射下(,Co2+,Fe3+,Ce4+)三元共掺杂催化剂的活性≈(La3+,Ce4+)二元共掺杂催化剂的活性>Fe3+、La3+单掺杂催化剂的活性。