这项工作首先证明了基于电子束蒸发二氧化f（HfO2）的无杂质空位扩散（IFVD）诱导的量子阱混合（QWI）。 红光二极管激光晶片具有两个6纳米厚的GaInP量子阱和三个8纳米厚的AlGaInP量子势垒的有源区。 在200℃下在二极管激光晶片的表面上蒸发出135nm厚的HfO 2膜。 QWI过程是通过在不同温度下快速热退火（RTA）20 s引起的。 发现活性区域发射波长的强度和半峰全宽（FWHM）分别随着退火温度的升高而增加和降低。 当样品在1000°C退火时，HfO2 IFVD诱导的QWI发现蓝移为18 nm。 此外，基于活性区域中的浓度分布来计算扩散长度和扩散系数，并且扩散系数值高于Zn杂质扩散诱导的QWI中的结果。

计算GaN/AlGaN量子阱的能带子带结构

在半导体中，可以通过将一种半导体材料（例如 InGaAs）的“阱”层夹在另一种半导体材料（例如 InP）的两个“势垒”层之间来制造实际的势阱。 在这种结构中，电子在“阱”材料中具有较低的能量，并且在与“势垒”材料的界面处看到一些势垒高度 Vo。 这种结构广泛用于光纤通信等激光器中。 在半导体中，这种势阱被称为“量子阱”。(*) 此 m 文件 (GaAs_QW) 计算具有恒定有效质量与不同阱宽的 GaAs 单量子阱中的能级。 它还绘制了给定势能和阱宽的相应特征函数。 （*） 大卫。 AB Miller，科学家和工程师的量子力学。 剑桥。 博士生。 埃内斯托·莫莫克斯（Ernesto Momox） 享受！

半导体所2μm波段InP基量子阱激光器取得重要进展.pdf

具有多个量子阱的深亚波长尺度表面等离激元极化行波放大器

为实现垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）在808 nm波长的激射，对VCSEL芯片的整体结构进行了设计。基于应变量子阱的能带理论、固体模型理论、克龙尼克潘纳模型和光学传输矩阵方法，计算了压应变InGaAlAs量子阱的带隙、带阶、量子化子能级以及分布布拉格反射镜（DBR）的反射谱，从而确定了量子阱的组分、厚度以及反射镜的对数。数值模拟的结果表明，阱宽为6 nm的In0.14Ga0.74Al0.12As/Al0.3Ga0.7As量子阱，在室温下激射波长在800 nm左右，其峰值材料增益在工作温度下达到4000 cm-1；渐变层为20 nm的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As DBR，出光p面为23对时反射率为99.57%，全反射n面为39.5对时反射率为99.94%。设计的顶发射VCSEL结构通过光电集成专业软件（PICS3D）验证，得到室温下的光谱中心波长在800 nm处，证实了结构设计的正确性。

利用选择性外延法生长单芯片双波长白光InGaN_GaN多量子阱结构.pdf

在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统，雷双瑛，，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程的方法研究了AlGaN/GaN双量子阱中的子带间跃迁。发现AlGaN/GaN双量子阱中通过加外电场或者调节双量子

详细地介绍了计算线宽展宽因子(α因子)的理论基础及推导过程,建立了α因子的简便模型.该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对α因子的影响,利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子浓度的变化速率以及微分增益,进而对α因子进行近似计算.模拟计算了InGaAs/GaAs量子阱激光器的增益曲线及α因子的大小,计算结果与文献报道的实验值相符.进一步讨论了InGaAs/GaAs量子阱阱宽及In组分对α因子的影响.结果表明,α因子随In组分和阱宽的增加而增加.

利用转移矩阵技术,建立了薄膜近似下的多量子阱波导芯子区域等效折射率的解析公式。该公式是偏振态和量子阱波导折射率分布的函数。