微机电系统的产生、发展
起源：微机电系统的起源与集成电路和固态传感器的发展密切相关。１９４７年科研工作者首先发明了晶体管，而后的半导体集成电路的研制导致了微电子技术的产生，并使硅成为最为重要的微电子材料，也为微机电系统技术的发展奠定了基础；
19世纪，照相制版；
1951年，布劳恩影空板（美，RCA公司）-用于光制造工程领域；
1954年，史密斯－－半导体压阻效应；
1958年，硅单晶半导体应变片；
1962年，结晶各向异性腐蚀技术；
1963年，半导体压力计（日本丰田研究所）；
1967年，振动栅极晶体管（美，Westinghouse公司）-利用牺牲层腐蚀方法；
1968年，阳极键合（美，Mallory公司）；
1969年，杂志浓度依存性腐蚀；
1970年，出现硅微小电极；
1973年，导管用硅压力传感器（斯坦福大学）；离子敏场效应管（日本，东北大学）；
２０世纪６０年代末７０年代初，美、日等国先后以压阻效应为基础研制出扩散硅压力传感器，应用扩散、研磨等工艺；
1975年，集成化气体色谱仪（斯坦福大学）-传感器和执行器；
1979年，集成化压力传感器（美，密歇根大学）-传感器和电路；
２０世纪７０年代中期，美国Ｋｕｌｉｔｅ压力传感器公司首先通过光刻、腐蚀、静电键合技术，制成扩散硅压力传感器膜片；由于尺度可控制在微米级，同时，采用硅的深腐蚀和整体键合实现的，该方法被称为体微机械加工（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ）技术。
1981年，水晶微机械（日本，横河电机）；
1986年，LIGA工艺（原西德原子力研究所）-高深宽比微细加工技术；
1986年，硅伺服型加速度传感器（瑞士，CSEM）;集成微流量控制器（日本，东北大学）-闭环集成控制；
2022-06-18 17:26:50
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