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上传时间: 2022-06-18 17:26:50
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微机电系统的产生、发展
起源:微机电系统的起源与集成电路和固态传感器的发展密切相关。1947年科研工作者首先发明了晶体管,而后的半导体集成电路的研制导致了微电子技术的产生,并使硅成为最为重要的微电子材料,也为微机电系统技术的发展奠定了基础;
19世纪,照相制版;
1951年,布劳恩影空板(美,RCA公司)-用于光制造工程领域;
1954年,史密斯--半导体压阻效应;
1958年,硅单晶半导体应变片;
1962年,结晶各向异性腐蚀技术;
1963年,半导体压力计(日本丰田研究所);
1967年,振动栅极晶体管(美,Westinghouse公司)-利用牺牲层腐蚀方法;
1968年,阳极键合(美,Mallory公司);
1969年,杂志浓度依存性腐蚀;
1970年,出现硅微小电极;
1973年,导管用硅压力传感器(斯坦福大学);离子敏场效应管(日本,东北大学);
20世纪60年代末70年代初,美、日等国先后以压阻效应为基础研制出扩散硅压力传感器,应用扩散、研磨等工艺;
1975年,集成化气体色谱仪(斯坦福大学)-传感器和执行器;
1979年,集成化压力传感器(美,密歇根大学)-传感器和电路;
20世纪70年代中期,美国Kulite压力传感器公司首先通过光刻、腐蚀、静电键合技术,制成扩散硅压力传感器膜片;由于尺度可控制在微米级,同时,采用硅的深腐蚀和整体键合实现的,该方法被称为体微机械加工(Bulk Micromachining)技术。
1981年,水晶微机械(日本,横河电机);
1986年,LIGA工艺(原西德原子力研究所)-高深宽比微细加工技术;
1986年,硅伺服型加速度传感器(瑞士,CSEM);集成微流量控制器(日本,东北大学)-闭环集成控制;