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论文研究 - 无铅多晶电陶瓷Ba的结构和介电性能研究
钨青铜结构陶瓷已在许多应用中找到了重要的潜力,例如执行器,传感器,光电,铁电随机存取存储器和微波设备。 这些类型的陶瓷由于其自发极化而被广泛用于许多工业应用,并且以其高介电常数,低介电损耗,低漏电流密度,良好的热稳定性和高压电系数而闻名。 在目前的工作中,Ba5CaTi2Nb8O30(BCTN)是通过固态反应方法首次合成的。 通过X射线衍射,扫描电子显微镜(SEM),能量色散X射线分析(EDAX),LCR测量仪,PE循环示踪剂,VSM和拉曼光谱仪研究了显微结构,介电,铁电,铁磁和拉曼光谱分别。 X射线衍射研究揭示了空间群为P4bm的单相四边形结构的形成。 观察到微晶尺寸在14.4nm范围内。 BCTN化合物在不同频率下随温度变化的详细介电性能表明,样品在居里温度316°C下表现出扩散型跃迁。 PE和MH研究证实了室温下铁电和磁性并存。
2024-01-15 11:45:15
1.7MB
X射线衍射
扫描电子显微镜
拉曼光谱仪
1
钨青铜结构Sr2K0.1Na0.9Nb5O15无铅压电陶瓷的制备和电性能研究
钨青铜结构Sr2K0.1Na0.9Nb5O15无铅压电陶瓷的制备和电性能研究,魏灵灵,刘忠山,在传统固相技术的基础上,引入二步合成法成功制备了Sr2K0.1Na0.9Nb5O15无铅压电陶瓷。研究了不同烧结温度对陶瓷相结构、微观组织结构和
2024-01-15 11:40:30
1.12MB
首发论文
1
[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.65-[PbTiO3]0.35/P(VDF-TrFE) 70/30 0-3型压电复合材料介电、压电和铁电性能的研究
[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.65-[PbTiO3]0.35/P(VDF-TrFE) 70/30 0-3型压电复合材料介电、压电和铁电性能的研究,孙威 ,卢斌,采用热模压法制备不同体积分数的单晶粉末铌镁酸铅-钛酸铅/聚偏三氟乙烯[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.65-[PbTiO3]0.35/P(VDF-TrFE) 70/30 0-3型压电复合材料
2024-01-15 11:37:57
270KB
首发论文
1
锑替代铋对铋锌铌陶瓷介电性能的影响
研究了Sb3+替代Bi3+对Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,经Sb3+替代的BZN陶瓷样品成瓷温度仍为1 000℃;随着Sb3+替代量的增加,Bi2O3-ZnO-Nb2O5系介质材料的晶粒尺寸、介电常数、介电损耗都有所变化。当替代量x=0.4时,介电性能最佳,介电常数为184,介电损耗为0.001。
2024-01-15 11:34:13
1.19MB
烧结温度
1
手机电磁兼容测试常见问题
本文针对手机电磁兼容测试中经常出现的问题,包括静电放电抗扰度试验、电快速瞬变脉冲群抗扰度试验、辐射骚扰及传导骚扰性能测试中经常发现的问题进行了分析,并提出了相应的改善手机电磁兼容性能的建议。
2024-01-14 23:37:38
113KB
手机电磁兼容
电抗扰度
电快速瞬变
脉冲群抗扰度
1
风电机组运行完整数据集30万余条
风电机组完整运行数据集,包括风速、风向、温度、湿度、气压和真实功率等共30万余条。WINDSPEED 预测风速 WINDDIRECTION 风向 TEMPERATURE 温度 HUMIDITY 湿度 PRESSURE 气压 PREPOWER 预测功率(系统生成) ROUND(A.WS,1) 实际风速 ROUND(A.POWER,0) 实际功率 YD15 已有实际功率预测目标
2024-01-14 15:50:04
7.9MB
数据集
1
台电X98PRO-bios升级工具
台电X98PRO-bios升级工具,有需要的朋友们下载使用。
2024-01-14 03:46:15
3.1MB
1
高能dibson过程中的电弱精度测试
在大型强子对撞机上执行SM精密测试的一种有前途的途径是测量高不变质量的微分截面,以这种方式利用由繁重的新物理学引起的校正能量的增长。 我们对纵向狄布森和相关的希格斯生产过程中主要的随能量增长效应进行了分类,表明它们可以封装在四个真实的“高能量主要”参数中。 我们在大型强子对撞机和未来的强子对撞机上评估这些参数的可及范围,尤其着重于看起来特别有前途的全轻子W Z通道。 发现该范围比现有约束条件高一个数量级,从而在与LEP边界竞争的情况下,在每毫米水平上测试了SM电弱扇区。 与LHC run-1边界仅适用于比分布的高能尾部中的SM大得多的新物理效应,我们研究的探查适用于更广泛类别的新物理场景,在这些场景中,如此大的偏离并不大 预期。
2024-01-12 16:52:27
1.24MB
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1
希格斯产生和衰变中的六维电弱顶环效应
我们以标准模型有效场论方法研究了六维夸克运算符对希格斯过程的次优阶电弱校正。 我们考虑主要的生产通道,包括大型强子对撞机的WH,ZH和VBF生产,以及未来的轻子对撞机的ZH,VBF生产,以及主要的衰减通道,包括H→γγ,γZ,Wlν,Zll,bb $$ b \ overline {b} $$,μμ,ττ。 结果表明,在当前约束条件下,上夸克算子可以将环路诱导过程的信号强度(即H→γγ,γZ)移动约O1-O10 $$ \ sim \ mathcal {O}(1 )-\ mathcal {O}(10)$$,以及树级过程(即所有剩余的生产和衰变通道),在大型强子对撞机上约为5%至10%,在未来的轻子对撞机上约为15% 。 这意味着基本上所有希格斯通道都已开始对顶夸克耦合变得敏感,尤其是在高亮度LHC以及未来的轻子对撞机上的希格斯可观测物,甚至低于tt¯t\ overline {t} $$ 阈值,将提高我们对夸克耦合的了解。 我们使用包含性和差分性测量的投影,得出高亮度LHC时希格斯测量对上夸克算子的敏感性。 我们得出的结论是,分别处理六维数夸克和希格斯/电弱扇区可能不会继续是一个好
2024-01-12 16:21:43
978KB
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1
规模和电弱的一阶相变
我们考虑不带希格斯质量项的标准模型(SM)中的相变,该相变是通过希格斯门户项耦合到具有SM单重态标量场的SM单重态,经典的尺度不变量规扇区的。 在较低的能量下,隐藏扇区中的轨距不变标量双线性形成冷凝物,动态地创建了稳健的能量尺度,该能量尺度通过希格斯门户项传输到SM扇区。 标度相变是具有零和非零冷凝物的相之间的转变。 因此,可以预期电弱(EW)和水垢相变之间会发生相互作用。 我们发现在一定的参数空间中,EW相和标度相变都可以是很强的一阶相变。 该结果是通过有效理论将标量双线性凝聚在平均场近似中获得的。
2024-01-12 14:18:00
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