高能dibson过程中的电弱精度测试
在大型强子对撞机上执行SM精密测试的一种有前途的途径是测量高不变质量的微分截面，以这种方式利用由繁重的新物理学引起的校正能量的增长。 我们对纵向狄布森和相关的希格斯生产过程中主要的随能量增长效应进行了分类，表明它们可以封装在四个真实的“高能量主要”参数中。 我们在大型强子对撞机和未来的强子对撞机上评估这些参数的可及范围，尤其着重于看起来特别有前途的全轻子W Z通道。 发现该范围比现有约束条件高一个数量级，从而在与LEP边界竞争的情况下，在每毫米水平上测试了SM电弱扇区。 与LHC run-1边界仅适用于比分布的高能尾部中的SM大得多的新物理效应，我们研究的探查适用于更广泛类别的新物理场景，在这些场景中，如此大的偏离并不大 预期。
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