希格斯产生和衰变中的六维电弱顶环效应

我们以标准模型有效场论方法研究了六维夸克运算符对希格斯过程的次优阶电弱校正。 我们考虑主要的生产通道，包括大型强子对撞机的WH，ZH和VBF生产，以及未来的轻子对撞机的ZH，VBF生产，以及主要的衰减通道，包括H→γγ，γZ，Wlν，Zll，bb $$ b \ overline {b} $$，μμ，ττ。 结果表明，在当前约束条件下，上夸克算子可以将环路诱导过程的信号强度（即H→γγ，γZ）移动约O1-O10 $$ \ sim \ mathcal {O}（1 ）-\ mathcal {O}（10）$$，以及树级过程（即所有剩余的生产和衰变通道），在大型强子对撞机上约为5％至10％，在未来的轻子对撞机上约为15％ 。 这意味着基本上所有希格斯通道都已开始对顶夸克耦合变得敏感，尤其是在高亮度LHC以及未来的轻子对撞机上的希格斯可观测物，甚至低于tt¯t\ overline {t} $$ 阈值，将提高我们对夸克耦合的了解。 我们使用包含性和差分性测量的投影，得出高亮度LHC时希格斯测量对上夸克算子的敏感性。 我们得出的结论是，分别处理六维数​​夸克和希格斯/电弱扇区可能不会继续是一个好