这本是手写版本的答案，第二到第十五章都有，Razavi《模拟CMOS集成电路设计》习题答案电子版

AR0130 寄存器手册 D版本的，最新版本，只看到C版本的，还没看到D版本的，在此共享一下。

射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备。与传统的行波放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要。因此对该课题的研究具有非常重要的意义。 设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs、SiGe BiCMOS和CMOS等。GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOSI艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAs和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合。   本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS、SiGe BiCMOS、GaAs三种工艺。（1）由SMIC0．18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2．4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加效率PAE大于15％，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20％，芯片面积为1．4mm*0．96mm；（2）由IBM5PAE0．35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5．25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3．3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15％，最大饱和输出功率为29．5dBm，芯片面积为1．56mm*1．2mm；（3）由WIN0．15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27～32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率P1dB26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29．9dBm且PAE大子25％，芯片面积为2．76mm*1．15mm。论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程。对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。

经典的VLSI教材，内有很多元件的具体电路设计，英文版第四版

摘要：在比较反转触发器(TFF)的各种结构的基础上,给出了一种单时钟信号控制实现超高速分频的电路结构,以及具体设计过程。分频器使用动态负载,输出两路互补信号。采用SMIC 0.18um 1P6M CMOS工艺,在电源电压为1.8 V的情况下,仿真实现了工作速度10 GHz(可工作频率范围为1~13.5 GHz)、功耗仅为3.1 mW的二分频器,可用于超高速锁相环、时钟数据恢复设计中。 　　0. 引言 　　分频电路在频率合成、光纤通信、无线通信等系统中有着广泛应用。在高速通讯系统中， 当数据传输速率达到或超过10GB/s时，传统的实现方法是采用双极性硅、GaAs、InP等工艺 实现[2]，但

CMOS图像传感器是近年来得到快速发展的一种新型固态图像传感器。它将图像传感部分和控制电路高度集成在同一芯片里，体积明显减小、功耗也大大降低，满足了对高度小型化、低功耗成像系统的要求。与传统的CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器还具有集成度高、控制简单、价格低廉等诸多优点。因此随着CMOS集成电路工艺的不断进步和完善，CMOS图像传感器已经广泛应用于各种通用图像采集系统中。

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