MOSFET, IGBT及宽禁带功率器件栅极驱动器设计基础

MOSFET及MOSFET驱动电路总结，很好的笔记！！

瑞萨科技公司宣布推出包括5 W输出RQA0002在内的三种高频功率MOSFET，用于手持式无线电设备及类似设备中的传输功率放大，通过使用新工艺和新封装，实现了高效率*1、并大大减小了封装的尺寸。 在2005年5月，将在日本开始无线电天线1 W输出RQA0001的批量生产，在7月份开始5 W 输出RQA0002的批量生产，在4月22日开始3 W 输出RQA0003的批量生产。 这些新产品的主要特性如下。 (1) 在低电压下实现高效率 由于大多数商用和休闲用无线电设备是手持式的，要求高频功率MOSFET提供适合电池驱动和高效率的低压操作，使通信时间可以延长。通过使用新工艺，这三种产品在3.6

随着半导体器件和电路技术的最新发展，如今D类音频放大器在电视/家庭娱乐，音响设备和高性能便携式音频应用中得到广泛的应用。高效率，低失真，以及优异的音频性能都是D类放大器在这些新兴的大功率应用中得到广泛应用的关键驱动因素。然而，如果输出功率桥接电路中的MOSFET如果选择不当，D类放大器的上述这些性能将会大打折扣，特别是输出功率比较大的时候。因此，要设计一款具有最佳性能的D类放大器，设计师正确理解驱动喇叭的器件关键参数以及它们如何影响音频放大器的性能是至关重要的。

本文给出了计算mos管的功耗以及确定工作温度的步骤。

做电路设计实验的同学可以参考参考

MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响 结论1：L   Ids  tox  Ids  L + tox  Ids   减小L和tox引起MOSFET的电流控制能力提高 结论2：W  Ids  P 减小W引起MOSFET的电流控制能力和输出功率减小 结论3：( L + tox+W)Ids=C  AMOS 同时减小L，tox和W， 可保持Ids不变，但导致 器件占用面积减小，电路集成度提高。 总结论：缩小MOSFET尺寸是VLSI发展的总趋势！ *

集成电路工艺：The Submicron MOSFET An understanding of device physics has become even more important that MOSFETs have crossed the long-channnel frontier into the submicron realm.

MOSFET栅极应用电路分析汇总，主要包含MOSFET知识及解决方案，共160+份文档。 一、MOSFET知识大全 MOSFET损耗计算 AN-6005_Switching_Loss_Calculation 大功率MOSFET的功耗计算 (核心)BoostPFC电路中开关器件的损耗分析与计算 (MCD)MOSFET开关损耗的计算 《MOSFET损耗计算》操作指导书 理解功率M0SFET的开关损耗1 张兴柱之MOSFET分析 AN-6005 dvdt引发的MOSFET误导通分析 MOSFET的损耗分析与工程近似计算 MOSFET损耗计算 MOSFET损耗详细计算过程 MOSFET计算公式 MOSFET温升计算工具 并联MOSFET的雪崩特性分析 功率MOSFET管并联应用时的电流分配问题研究 功率MOSFET教程 关于MOSFET驱动电阻值的计算 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量 理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量 IRF3205S中文资料 MOS管被击穿的原因及解决方案(全) MOS管击穿原因详析及各类解决方案 MOS管静电击穿的原因和防护措施 MOS管驱动电阻怎么选择 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能 MOSFET雪崩能量的应用考虑 MOSFET与IGBT的区别 功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管 理解功率MOSFET管的电流 理解MOSFET的VTH：栅极感应电压尖峰 MOSFET的UIS及雪崩能量解析 MOSFET管驱动电路基础总结 (核心)功率MOSFET安全工作区SOA：真的安全 (核心)功率MOSFET的特性 (核心)MOSFET开关详细过程 (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总 采用电压箝位控制实现串联IGBT的动态均压 陈桥梁_开关电源中MOSFET失效案例分析 传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估 典型开关MOS电流波形的精细剖析 电力电子设备用器件与集成电路应用指南 读懂并理解MOSFET的Datasheet 反激式电源中MOSFET的钳位电路 飞利浦的功率MOS数据说明书 高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究 功率MOSFET并联驱动特性分析 功率MOSFET的封装失效分析 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析 功率MOSFET的结构与特点 功率MOSFET的特性 功率MOSFET的栅极电荷特性 功率MOSFET低温工作特性分析 功率MOSFET反向特性的分析模拟 功率MOSFET和IGBT 功率MOSFET雪崩击穿问题分析 关于MOS管的15个为什么 胡炎申-MOSFET驱动电路的设计与仿真 基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法 基于有源控制的IGBT串联技术的研究及应用 理解功率-理解功率MOSFET管的电流 理解功率MOSFET的电流 理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性 理解MOSFET的每个特性参数的分析 如何确定MOSFET的驱动电阻 有源钳位电路 再谈米勒平台及线性区：为什么传统公式计算超结MOSFET开关损耗无效？ 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较 张兴柱之MOSFET分析 IR系列MOS驱动ic中文应用手册 MOS管参数详解及驱动电阻选择 mos管的最大持续电流是如何确定 mos管的GS波形振荡怎么消除 MOS管功率损耗竟然还可以这么测 MOS管开关时的米勒效应 张飞 mos管门级驱动电阻计算 MOS管器件击穿机理分析 MOS管驱动电阻怎么选择 MOS管与三极管的区别作用特性参数 MOS管炸不炸,原因就在这里 MOS开关损耗计算 MOS器件ESD失效的机理分析 MOSEFT分析_理解功率MOSFET的开关损耗 Mosfet 和 三极管：在ON 状态区别 MOSFET 应用说明 MOSFET-IGBT的驱动理论与应用 MOSFET规格书详解 MOSFET和IGBT的对比分析 MOSFET和IGBT性能对比 MOSFET米勒震荡应对1 MOSFET米勒震荡应对2 MOSFET米勒震荡应对3 MOSFET驱动电路设计参考 MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区 MOSFET驱动方式详解 MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计 MOSFET特性参数的理解 MOSFET体二极管反向恢复过程分析 MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA) MOSFET雪崩能量计算方法 MOSFET与IGBT的本质区别 MOSFET与IGBT的驱动和保护方法 MOSFET与IGBT的应用区别 MOSFET栅极应用电路分析汇总 MOSFET栅极应用电路分析汇总（驱动、加速、保护、自举等等） NECMOSFET选型 VISHAY功率MOSFET基本系列：了解栅极电荷并用来评估开关性能

LTspice Infineon NMOS库 更新： LTspice英飞凌NMOS库是一个半完整的英飞凌功率N沟道MOSFET套件，最高功率为950V，截至2021年1月的电流。 它缺少功率模块，双MOSFET等奇数符号。 它使用Infineon的公共库，但包含本机LTSpice符号，从而易于使用和安装。 如果可用，它将使用其本机LTSpice库，但如果不使用，则将使用PSpice库。 LTSpice的PSpice库没有问题。 不幸的是，没有包含加密符号，但是只有少数英飞凌模型使用加密，因此这并不是一个太大的问题。 当前的型号和符号计数： 3849个N沟道MOSFET和计数。 安装 下载。 解压缩下载的文件。 苹果系统： 复制LTspiceInfineonNMOSLibrary/sym/InfineonNMOS文件夹进入~/Library/Application\ Suppo