此文档对于JESD标准LPDDR4做中文解读，轻松理解LPDDR4标准。 ** 行业标准： 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug，spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问，可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意，可线下联系作者申请退款，作者就有这样的自信敢承诺！ 如对内容质量有疑问，可提前私信咨询。

DDR4 SDRAM SO-DIMM Design Specification Revision 1.31 August 2019

1、JEDEC制定的DDR4标准 2、适合硬件工程师和相关嵌入式驱动工程师学习

PC4-SODIMM DDR4 原理图+PCB+BOM，网上很多都是PCB没有原理图，本资源既有原理图，又有PCB和BOM，可以帮助你快速实现自己的设计。

该文档为DDR4 SODIMM设计规范要求，可用于笔记本DDR4 SODIMM条的设计参考。规范中包含了DDR4 SODIMM条的信号定义、电气参数、尺寸规范等信息

DDR and JESD79_4 design and reference spec using DDR 。

JEDEC DDR4 SDRAM IC Standard

**重要提醒: 解读已更新到v3, 最后更新时间2021-7-18 194945** 此文档对于JESD标准DDR3做中文解读，轻松理解DDR3标准。 为何有此文档? > 笔者曾经在dram领域摸爬滚打数年，深深感受到spec标准文档的理解直接影响到dram知识技术的认知和层次，理解spec文档将极大提高dram水平。数年经验化成一篇解读，不要让时间浪费在不断地寻找spec标准含义的过程中，而是站在经验者之上更上一层楼！ 祝每个看过此文档的人都可以为"被某国打压的dram技术"增加技术储备！ 解读示例: 1 CK_t和CK_c代表什么? > CK_t: CK True, 代表差分信号的正极性clock, 也就是"真"clock/主clock; CK_c: CK Complement, 代表差分clock的负极clock. 2 CKE和CK的区别： > CKE是指dram clock时钟 enable与否，注意它和上面的CK有本质区别，CKE可以 理解为是颗粒侧的时钟，但CK是controller和dram交互的时钟。 CK如果没有了，CKE没有意义。但CK如果有，CKE可有可无。 CKE拉低，颗粒进入power down模式，可以节省功耗。 3 ZQ为什么一般是240欧姆呢? > 因为一般dram都是通过并联电阻实现设置为指定的电阻值，一般工业级的电阻值 是34, 40, 60, 80, 120欧姆，取最小公倍数，即240欧姆! ......还有更多... ** 本文档不仅仅是DDR3 spec标准文档，而是spec的注释解读 ** ** 翻译成中文? 当然不是翻译, 翻译放到网站上随便都可以翻译出来，此文是带着理解的解读! 深挖spec内部的原理，让您事半功倍！不要被spec卡住您的前途！ ** 因为解读是注释，即文中黄色或绿色下划线的注解，试读看不到，正在想方法如何显示给大家看。 ** 行业标准： 作者有数年spec经验. ** 专业: 数年dram问题debug，spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问，可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意，可线下联系作者申请退款，作者就有这样的自信敢承诺！ ** 更新: 不定期进行文档更新，保证每读一遍都有不一样的感受。 ** 再次提醒: 试读看到的是标准DDR3 spec, 批注注释才是本文档的价值所在!! 千万不要以为仅仅是DDR3 spec!!

单条DDR4 DIMM条的电路图和PCB，用来查看DDR4原理和布线，用来验证DDR4的走线，是学习DDR4原理布线的重要参考资料

DDR PHY协议