MOSFET一级模型(Level=1)
描述I和V的平方率特性, 它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应.
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KP=µCox本征跨导参数
Cox =ox/Tox单位面积的栅氧化层电容
LO有效沟道长度, L版图栅长,
LD沟道横向扩散长度
非饱和区
饱和区
2021-12-14 10:11:24
2.04MB
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第3部分
Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part3
2021-12-09 13:51:18
14.92MB
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TC4426A/TC4427A/TC4428A 双路高速功率 MOSFET 驱动芯片
2021-12-03 11:23:14
499KB
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死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响，选取结果实用性较差。通过理论研究给出了使LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS的死区时间选取原则，参照该原则详细描述并合理简化最恶劣工况下计及MOSFET关断瞬态的LLC变换器工作过程。在此基础上，通过对MOSFET手册中数据的分析运用，精确算得最恶劣工况下LLC变换器实现ZVS所需死区时间的最小值，最终给出LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS所需死区时间设定值的计算方法。该方法计算过程简单直观，实验结果亦验证了其正确性和有效性。
2021-11-29 21:47:54
1.62MB
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针对FDM6021-4803型号的无框电机进行驱动器的硬件电路设计。以TMS320 F28335芯片为控制核心，通过搭建DSP外围控制电路，设计多电源匹配电路、PWM驱动电路、MOSFET逆变桥电路、电流检测电路、位置反馈电路和保护电路等模块，实现一类无框交流伺服电机的实用驱动功能。详细阐述了各个电路模块的元器件参数和选型，通过硬件平台eEEP1000N电力电子实验装置进行实验调试，基于SVPWM调制技术控制电机电枢电流的同时，使用CSpacewatch上位机软件观测电机运行状态，验证表明此驱动器控制电机运行可靠且具有较高的性能指标和抗干扰能力。
2021-11-24 19:57:04
1.55MB
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关于使用P-ChannelMOSFET-P沟道绝缘栅型场效应管作为电源开关的控制电路说明
2021-11-24 08:46:33
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