MOSFET损耗详细计算过程

死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响，选取结果实用性较差。通过理论研究给出了使LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS的死区时间选取原则，参照该原则详细描述并合理简化最恶劣工况下计及MOSFET关断瞬态的LLC变换器工作过程。在此基础上，通过对MOSFET手册中数据的分析运用，精确算得最恶劣工况下LLC变换器实现ZVS所需死区时间的最小值，最终给出LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS所需死区时间设定值的计算方法。该方法计算过程简单直观，实验结果亦验证了其正确性和有效性。

各种晶闸管的特性、参数，并附有数百种晶闸管实用电路图。

100W场效应管功率放大电路、电子技术,开发板制作交流

MOSFET开关的动态过程分析,在高频高压情况下使用要特别注意

 针对FDM6021-4803型号的无框电机进行驱动器的硬件电路设计。以TMS320 F28335芯片为控制核心，通过搭建DSP外围控制电路，设计多电源匹配电路、PWM驱动电路、MOSFET逆变桥电路、电流检测电路、位置反馈电路和保护电路等模块，实现一类无框交流伺服电机的实用驱动功能。详细阐述了各个电路模块的元器件参数和选型，通过硬件平台eEEP1000N电力电子实验装置进行实验调试，基于SVPWM调制技术控制电机电枢电流的同时，使用CSpacewatch上位机软件观测电机运行状态，验证表明此驱动器控制电机运行可靠且具有较高的性能指标和抗干扰能力。

关于使用P-ChannelMOSFET-P沟道绝缘栅型场效应管作为电源开关的控制电路说明

DC/DC开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。 图 1—降压同步开关稳压器原理图DC/DC 开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如，同时拥有一个高侧 FET和低侧 FET 的降压同步开关稳压器，如图 1 所示。这两个 FET 会根据控制器设置的占空比进行开关操作，旨在达到理想的输出电压。降压稳压器的占空比方程式如下：1) 占空比 (高侧FET,上管) = Vout/(Vin*效率)2) 占空比 (低侧FET，下管) = 1 – DC (高侧FET)FET 可能会集成到与控制器一样的同一块芯片中，从而实现一种最为简单的解决方案。但是，为了提供高电流能力及（或）达到更高效率，FET 需要始终为控制器的外部元件。这样便可以实现最大散热能力，因为它让FET物理隔离于控制器，并且拥有最大的 FET 选择灵活性。它的缺点是 FET 选择过程更加复杂，原因是要考虑

MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用MOSFET产品的行业在近几年来得到了快速的发展，功率MOSFET更是备受关注。本期半月谈将会从基础开始，探讨MOSFET的一些基础知识，包括选型、关键参数的介绍、系统和散热的考虑等等；最后还会就一些最常见的热门应用为大家做一些介绍。

不错的ＭＯＳＦＥＴ驱动电路文档，较为详细的介绍了几种MOSFET的驱动电路！