当今的设计师面对无数的挑战：一方面他们必须满足高技术产品不断扩展的特性需求，另一方面却不得不受到无线和电池装置的电源限制。没有任何技术在这方面的要求比SoC的设计更为明显，在这种设计中，高级工艺比从前复杂的多。然而，上述技术造成了新的电源问题。现代SoC系统的关键之一就是：嵌入存储器在芯片中的比例在不断增长。当存储器开始主导SoC时，应用节能技术使存储器获得系统电源变得十分重要。　　重要问题之一就是：在系统结构方面，是嵌入系统存储器还是把存储器放在SoC之外。在以前的技术中，电源不是要考虑的一个主要因素，而成本是决定是否嵌入存储器的主导因素。　　传统的DRAM在外部存储器中占主导地位，因为它比

移动开发-基于NAND Flash阵列的高速大容量图像存储器设计.pdf

赞，都是自己设计的

含泪写下的报告 如今分享给大家！ 并行性是提高计算机系统效率的重要途径。交叉存储器是采用相同的 存储器，利用并行结构设计方法，提高存储器工作效率的一种特殊存储器。 交叉存储器的结构复杂，在随堂存储器扩充的基础上，展开研究性教学，便 于学生拓展知识面，提高分析问题解决问题的能力。设 CPU 共有 16 根地 址线，8 根数据线，并用 M/-IO 作为访问存储器或 I/O 的控制信号（高电 平为访存，低电平为访 I/O)，-WR（低电平有效）为写命令，-RD（低电平 有效）为读命令。设计一个容量为 64KB 的采用低位交叉编址的 8 体并行 结构存储器。画出 CPU 和存储芯片（芯片容量自定）的连接图，并写出图 中每个存储芯片的地址范围（用十六进制数表示）。 设计一个容量为 64KB 的采用低位交叉编址的 8 体并行结构存储器， 则每个存储体容量应为 64KB/8=8KB, 所以，应选择 8KB(213B) 的 RAM 芯片，需要芯片 8 块、地址线 13 根（A0-A12）、数据线 8 根（D0-D7），其 中在片选信号产生时需要用到 74LS138 译码器。

课程内容 v SDRAM v FLASH vDDR v DDR2 v DDR3 vQDR SDRAM vFLASH vDDR v DDR2 v DDR3 vQDR

这是大三下学期的课程设计，有摘要、目录、正文；题目为FIFO存储器设计，很详细的课程设计哦 ，对课程设计很有帮助。

杭电计算机组成原理存储器设计实验5

用8k×8的RAM芯片（HM1-65642），组成一个24k×16的存储器。该存储器地址总线8条，数据总线16条，地址采用分时传送。

计算机组成与结构实验，附有实验过程和实验结果

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