本人之前做的一个光学微腔微盘谐振腔的激光电场分布和磁场分布图,适用于微电子集成器件的仿真模拟,自己摸索的,欢迎大家下载和指正,现在也还在做,这一方面的资源实在是太少了,所以上传给大家参考,也请指出我的错误和不足,欢迎一起探讨。
2023-10-27 16:11:55 11.25MB comsol 微盘谐振腔 有限元 电场分布
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电磁场与电磁波的设计实验,内容如题,是一个利用matlab对线电荷周围电场分布进行仿真的实验报告,能用到的人应该不多,水平有限仅供参考。
2022-12-05 16:19:52 227KB matlab
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①由电荷分布的对称性分析电场分布的对称性. (球对称、轴对称、面对称) 选取高斯面的技巧: 使场强处处与面法线方向垂直,以致该面上的电通量为零。 使场强处处与面法线方向平行,且面上场强为恒量。这种面上的电通量简单地为 ES 。 步骤为: ②在对称性分析的基础上选取高斯面. 目的是使 能够积分,成为E 与面积的乘积形式。 ③由高斯定理 求出电场的大小, 并说明其方向. (4)利用高斯定理求
2021-11-25 17:35:35 2.1MB 大学物理 电磁学
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我们研究了在不同的反向偏置值下,pin型和独立吸收与倍增(SAM)型GaN雪崩光电二极管中电场的分布。 我们还分析了每一层参数(包括宽度和浓度)对电场分布(尤其是击穿电压)的影响。 发现较高的p-GaN浓度(高于1x10(18)cm(-3))和较低的i-GaN载流子浓度(低于5x10(16)cm(-3))有助于限制电场并降低击穿电压。 在SAM(PININ)结构,合适的选择应为浓度与中间的n-GaN层的厚度,以恶化为销结构降低击穿电压和防止设备制成。 最后,提出了各层材料的优化参数。
2021-10-21 23:12:27 596KB GaN; avalanche photodiodes; distribution
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引入一种新的薄膜特征矩阵,用以计算多层膜中的电场分布,得到了TE和TM波电场的简单表达式。计算并绘制了薄膜偏振器和感应反射滤光片的内部电场分布曲线。应用新的薄膜特征矩阵,也可以很容易推导出多层膜的表面等离子激光波的色散关系。
2021-05-11 20:27:54 3.67MB 多层薄膜 特征矩阵 multilaye character
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