GaN雪崩光电二极管的电场分布和器件设计

GaN; avalanche photodiodes; distribution

我们研究了在不同的反向偏置值下，pin型和独立吸收与倍增（SAM）型GaN雪崩光电二极管中电场的分布。我们还分析了每一层参数（包括宽度和浓度）对电场分布（尤其是击穿电压）的影响。发现较高的p-GaN浓度（高于1x10（18）cm（-3））和较低的i-GaN载流子浓度（低于5x10（16）cm（-3））有助于限制电场并降低击穿电压。在SAM（PININ）结构，合适的选择应为浓度与中间的n-GaN层的厚度，以恶化为销结构降低击穿电压和防止设备制成。最后，提出了各层材料的优化参数。

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