半导体材料系列：第三代半导体碳化硅行业前瞻（2022）（88页）.pdf

染料敏化半导体材料在光伏电池及光催化中的应用.ppt

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半导体行业深度报告：中国半导体材料产业投资手册_政策驱动叠加产能转移，国产替代势在必行-180527_146页_3mb

从半导体材料的吸收机制出发,分析研究了激光能量在半导体材料中的传输过程,并采用双温模型分别模拟计算了在入射激光能量相同的情况下,皮秒和纳秒激光脉冲作用于硅半导体材料的加热过程,结果表明在纳秒脉冲作用下,可以忽略载流子效应,用单纯的单温热传导方程来模拟。而在皮秒脉冲作用下,应该考虑载流子效应,采用包括晶格温度和载流子温度的双温模型来模拟硅半导体材料的加热过程。

Material Electron Mass Hole Mass ALAs 0.1 ALSb 0.12 mdos=0.98 GaN 0.19 mdos=0.60 GaAs 0.067 m1h=0.082,mhh=0.45 GaP 0.82 mdos=0.60 GaSb 0.042 mdos=0.40 Ge ml=1.64,mt=0.082 m1h=0.044,mhh=0.28 InP 0.073 mdos=0.64 InAs 0.027 mdos=0.4 InSb 0.13 mdos=0.4 Si ml=0.98,mt=0.19 m1h=0.16,mhh=0.49

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高温、高频、抗辐射、大功率器件；蓝、绿、紫光二极管、半导体激光器 更优的电子迁移率、带隙、击穿电压、高频、高温特性。

第三版，涉及：电阻，载流子浓度和掺杂密度，接触电阻和肖特基势垒，串联电阻和沟道长度宽度，阈值电压，缺陷，氧化界面，载流子寿命和迁移率，光学特性，化学物理特性，以及可靠性等多方面问题的研究，是一本优秀的国外半导体物理教程