本文提出了一种新的直接提取方法，用于确定HEMT的寄生电容。 该方法基于物理意义上的耗尽层模型和夹断式冷FET的两端口网络的理论分析。 这种方法的主要优点是可以在不同的夹断条件下提取寄生电容C-pg，C-pd和C-pdg。 对于2 x 20 m浇口宽度HEMT（浇口指的数量x单位浇口宽度），在建模结果和测量结果之间取得了良好的一致性。
2022-11-21 10:48:48
159KB
1