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确定HEMT寄生电容的新方法
确定HEMT寄生电容的新方法
上传者:
38666232
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上传时间: 2022-11-21 10:48:48
|
文件大小: 159KB
|
文件类型: PDF
Cold
FET;
HEMT;
pinch-off
本文提出了一种新的直接提取方法,用于确定HEMT的寄生电容。 该方法基于物理意义上的耗尽层模型和夹断式冷FET的两端口网络的理论分析。 这种方法的主要优点是可以在不同的夹断条件下提取寄生电容C-pg,C-pd和C-pdg。 对于2 x 20 m浇口宽度HEMT(浇口指的数量x单位浇口宽度),在建模结果和测量结果之间取得了良好的一致性。
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