由多层聚合物和金属组成的复合薄膜广泛用于集成电路及其封装,由于复杂的内部应力分布和演化,会引起复杂的晶圆翘曲问题。 本文确定并分析了多层聚合物-金属复合薄膜的晶片翘曲起因和机理。 采用不同的PI / Cu复合结构来表征复合膜的热机理。 晶圆在热过程中的翘曲演变是通过多光束激光光学传感器系统进行现场测量的。 发现在此温度下,PI的固化收缩过程对晶片翘曲几乎没有影响,但是,沉积材料之间的热膨胀系数(CTE)不匹配,在冷却至室温时会导致较大的翘曲。温度(RT)。 尽管PI减轻了冲击应力,但与厚度成比例地增加了RT时的总体翘曲。 嵌入到PI中的ECD Cu也占整个晶圆翘曲的很大一部分,并在热处理过程中导致磁滞回线,这表明塑性变形(例如晶粒生长或表面扩散或晶粒边界扩散)以及磁滞会被PI层很大程度上抑制。
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