根据提供的文档信息，我们可以深入解析该产品的关键技术特点与规格参数。 ### 一、产品概述 文档标题中的“H27TDG8T2DW2 F1Y 128Gb MLC Toggle DDR Wafer Datasheet”明确指出这是一份关于SK hynix公司生产的128Gb Multi-Level Cell (MLC) NAND闪存晶圆的数据手册。该产品采用Toggle DDR接口技术，主要面向高性能及成本效益较高的应用领域，如高端移动设备、个人电脑以及数据存储解决方案等。 ### 二、关键特性 #### 1. 多级单元技术 (Multi-Level Cell) 该产品采用了多级单元技术，即每个存储单元可以保存2位数据（2bit/cell），相比单级单元（Single-Level Cell, SLC）可以存储更多数据，同时保持较高的存储密度。这种设计使得产品能够在提供更高容量的同时，保持较好的读写性能。 #### 2. NAND接口 - **Toggle DDR命令接口**：支持高速数据传输，能够显著提高读写速度。 - **x8总线宽度**：意味着每个操作周期内可传输8位数据，增强了数据吞吐能力。 - **DQ端口命令、地址和数据复用**：通过单一端口实现多种信号的传输，简化了电路设计并提高了效率。 #### 3. 供电电压 - 对于所有速度等级，主电源电压Vcc为2.7V~3.6V，而VccQ（用于内部逻辑电路）则为1.7V~1.95V； - 对于低于200Mbps的速率，VccQ的范围扩大至2.7V~3.6V。 #### 4. 组织结构 - **页面数**：每块含有388个页面； - **块数**：每个平面包含1362个块； - **平面数**：共有2个平面； - **单个块大小**：6.0625MB，由388个页面组成，每个页面大小为16,384字节加1,664字节的冗余区域； - **设备容量**：单个设备大小为2704+20个块，总容量达到128Gb。 #### 5. 操作时间 - **随机读取时间 (tR)**：典型值为60μs； - **页面编程时间 (tPROG)**：典型值为1000μs； - **块擦除时间 (tBERS)**：典型值为7ms，最大值为10ms。 #### 6. DQ性能 - **读取周期时间 (tRC)**：可选3.75ns或10ns； - **每针读取/写入吞吐量**：最高可达533Mbps。 #### 7. 单个芯片工作电流 - **页面读取 (ICC1)**：最大50mA； - **页面编程 (ICC2)**：最大50mA； - **DQ突发读取 (ICC4R)**：最大80mA； - **DQ突发编程 (ICC4W)**：最大80mA； - **空闲状态 (ICC5)**：最大5mA； - **待机模式 (ISB)**：最大100μA。 #### 8. 封装 该产品为晶圆形式，未进行封装，适用于定制化的封装需求。 ### 三、应用领域 由于其出色的性能表现和成本效益，F1Y 128Gb MLC NAND特别适合以下应用场景： - **高端移动设备**：智能手机、平板电脑等； - **个人电脑**：固态硬盘、内存条等； - **数据存储解决方案**：服务器、数据中心等。 ### 四、版本历史 该数据手册经过多次修订，版本号从0.0到0.2，修订日期分别为2017年5月31日、6月20日和7月11日，修订内容涉及垫片位置更新、垫片接触信息更新、零件编号描述更新以及关键特性更新（包括tPROG、tR、ISB等指标）。 通过以上分析，我们可以看到SK hynix F1Y 128Gb MLC NAND是一款具备高性能和高性价比的产品，在多个方面都展现出卓越的技术实力，是当今市场上极具竞争力的NAND闪存解决方案之一。

根据提供的文档信息，我们可以深入解析该产品的特性与技术细节，主要围绕标题、描述、标签以及部分内容中的关键信息展开。 ### 标题与描述解析 标题：“MLC-3Dnm-V2-128Gb-H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)-Toggle-Rev,0.1,Jun,2015” 描述：“MLC_3Dnm_V2_128Gb_H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)_Toggle_Rev,0.1,Jun,2015” 这两个部分都提到了“MLC-3Dnm-V2-128Gb-H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)-Toggle-Rev,0.1,Jun,2015”，其中包含了多个重要的技术术语和规格参数： 1. **MLC (Multi-Level Cell)**：表示这款产品采用的是多电平单元存储技术。相比单电平单元（SLC），MLC能够在每个单元存储更多位的信息（通常是2位），从而提高存储密度但牺牲了一定的耐久性和读写速度。 2. **3Dnm**：这里的“3D”指的是三维堆叠技术，即通过在垂直方向上堆叠存储单元来增加存储密度。“nm”通常代表纳米技术节点，这里可能指的是采用的制造工艺技术节点，例如20nm或更先进的技术。 3. **V2**：版本标识，表明这是第二代产品。 4. **128Gb**：存储容量为128Gb，即16GB。 5. **H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)**：具体的产品型号编码，包含了大量的产品信息。 6. **Toggle**：指该产品采用了Toggle DDR接口技术，这是一种高速数据传输方式，适用于移动设备和其他高性能应用。 ### 标签解析 标签：“H27QDG8T(D)2CD(W) MLC128Gb” 标签进一步强调了产品的型号编码和存储容量，其中“MLC128Gb”再次明确了这是一款基于MLC技术的128Gb（16GB）存储器。 ### 部分内容解析 #### 版本历史 - **Rev 0.1/Jun. 2015**：这份文档的修订版本是0.1版，发布于2015年6月。它是在初步版本基础上增加了部分编号和一些额外信息。 #### 关键特性 1. **Multilevel Cell technology**：采用MLC技术。 2. **Part number**：提供了三个不同的型号编码及其对应的接口速度： - H27QDG8T2CDA-BGC (533Mbps) - H27QDG8D2CDA-BCC (200Mbps) - H27QDG8T2CW1-BCC (200Mbps) 3. **NAND Interface**：采用Toggle DDR命令接口，8位总线宽度，指令、地址和数据信号端口复用。 4. **Supply Voltage**：核心电压范围为2.7V至3.6V，VccQ电压范围为1.7V至1.95V。 5. **Organization**：组织结构包括每页16,384字节加1,280字节冗余区域，每个块包含576个页面，每个设备有1,824个主块加56个扩展块。 6. **Page Read / Program Time**：随机读取时间为70微秒，页面编程时间为900微秒。 7. **Block Erase**：擦除时间典型值为10毫秒，最大值为20毫秒。 8. **DQ performance**：读取周期时间为3.75纳秒或10纳秒。 9. **Single Die Operating Current**：不同操作模式下的电流消耗，如读取时最大50毫安，编程时最大50毫安等。 10. **Package**：封装形式为晶圆。 #### 概述描述 该文档还提供了一个概述性描述，指出SK海力士的H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)适合用于高性能应用，如高端移动解决方案和PC数据存储解决方案。它具备Toggle DDR接口，并且支持双向DQS，提供高性能NAND闪存存储能力。 此文档详细介绍了SK海力士的一款基于MLC技术的128Gb NAND闪存产品的技术规格、性能参数及应用场景。通过这些信息，我们可以深入了解其设计特点和技术优势。

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