MLC-3Dnm-V2-128Gb-H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)-Toggle-Rev,0.1,Jun,2015

根据提供的文档信息，我们可以深入解析该产品的特性与技术细节，主要围绕标题、描述、标签以及部分内容中的关键信息展开。 ### 标题与描述解析 标题：“MLC-3Dnm-V2-128Gb-H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)-Toggle-Rev,0.1,Jun,2015” 描述：“MLC_3Dnm_V2_128Gb_H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)_Toggle_Rev,0.1,Jun,2015” 这两个部分都提到了“MLC-3Dnm-V2-128Gb-H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)-Toggle-Rev,0.1,Jun,2015”，其中包含了多个重要的技术术语和规格参数： 1. **MLC (Multi-Level Cell)**：表示这款产品采用的是多电平单元存储技术。相比单电平单元（SLC），MLC能够在每个单元存储更多位的信息（通常是2位），从而提高存储密度但牺牲了一定的耐久性和读写速度。 2. **3Dnm**：这里的“3D”指的是三维堆叠技术，即通过在垂直方向上堆叠存储单元来增加存储密度。“nm”通常代表纳米技术节点，这里可能指的是采用的制造工艺技术节点，例如20nm或更先进的技术。 3. **V2**：版本标识，表明这是第二代产品。 4. **128Gb**：存储容量为128Gb，即16GB。 5. **H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)**：具体的产品型号编码，包含了大量的产品信息。 6. **Toggle**：指该产品采用了Toggle DDR接口技术，这是一种高速数据传输方式，适用于移动设备和其他高性能应用。 ### 标签解析 标签：“H27QDG8T(D)2CD(W) MLC128Gb” 标签进一步强调了产品的型号编码和存储容量，其中“MLC128Gb”再次明确了这是一款基于MLC技术的128Gb（16GB）存储器。 ### 部分内容解析 #### 版本历史 - **Rev 0.1/Jun. 2015**：这份文档的修订版本是0.1版，发布于2015年6月。它是在初步版本基础上增加了部分编号和一些额外信息。 #### 关键特性 1. **Multilevel Cell technology**：采用MLC技术。 2. **Part number**：提供了三个不同的型号编码及其对应的接口速度： - H27QDG8T2CDA-BGC (533Mbps) - H27QDG8D2CDA-BCC (200Mbps) - H27QDG8T2CW1-BCC (200Mbps) 3. **NAND Interface**：采用Toggle DDR命令接口，8位总线宽度，指令、地址和数据信号端口复用。 4. **Supply Voltage**：核心电压范围为2.7V至3.6V，VccQ电压范围为1.7V至1.95V。 5. **Organization**：组织结构包括每页16,384字节加1,280字节冗余区域，每个块包含576个页面，每个设备有1,824个主块加56个扩展块。 6. **Page Read / Program Time**：随机读取时间为70微秒，页面编程时间为900微秒。 7. **Block Erase**：擦除时间典型值为10毫秒，最大值为20毫秒。 8. **DQ performance**：读取周期时间为3.75纳秒或10纳秒。 9. **Single Die Operating Current**：不同操作模式下的电流消耗，如读取时最大50毫安，编程时最大50毫安等。 10. **Package**：封装形式为晶圆。 #### 概述描述 该文档还提供了一个概述性描述，指出SK海力士的H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)适合用于高性能应用，如高端移动解决方案和PC数据存储解决方案。它具备Toggle DDR接口，并且支持双向DQS，提供高性能NAND闪存存储能力。 此文档详细介绍了SK海力士的一款基于MLC技术的128Gb NAND闪存产品的技术规格、性能参数及应用场景。通过这些信息，我们可以深入了解其设计特点和技术优势。