基于MATLAB/Simulink的全桥LLC变换器仿真模型。

死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响，选取结果实用性较差。通过理论研究给出了使LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS的死区时间选取原则，参照该原则详细描述并合理简化最恶劣工况下计及MOSFET关断瞬态的LLC变换器工作过程。在此基础上，通过对MOSFET手册中数据的分析运用，精确算得最恶劣工况下LLC变换器实现ZVS所需死区时间的最小值，最终给出LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS所需死区时间设定值的计算方法。该方法计算过程简单直观，实验结果亦验证了其正确性和有效性。

LLC变换器的原理特点与应用领域

LLC变换器是一种非常有前景的拓扑电路，然而其工作过程较为复杂，很难建立准确的小信号模型，因此闭环控制电路设计困难。同时，随着LLC变换器的广泛使用，其过流保护问题也日益受到关注。针对一种具有过流保护功能的改进型半桥LLC变换器，提出了基于Saber软件时域仿真进行补偿电路设计的方法，并设计了一款1 200 W的半桥型LLC变换器。仿真实验验证了该方法的正确性及可行性，对实际工程应用有一定的指导意义。

本设计文档是关于LLC谐振变换器中的变压器设计与计算（其中包括磁芯的选择还有平面变压器的设计），可供相关设计人员参考