有限厚垒应变纤锌矿AlGaN/GaN异质结中的电子迁移率及其压力效应，武维，班士良，基于力平衡方程，考虑界面和半空间模光学声子对电子的散射，讨论室温及高于室温下，有限厚垒应变纤锌矿氮化物AlGaN/GaN异质结中的电
2024-01-10 18:58:21
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本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程，针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理，提出了一种降低表面电场，提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构。新结构通过在极化的AlGaN层中引入分区负电荷，辅助耗尽二维电子气，有效降低了引起器件击穿的栅极边缘高电场，并首次在漏极附近引入正电荷使漏端高电场峰降低。利用仿真软件ISE分析验证了AlGaN/GaN HEMTs器件具有的“虚栅”效应，通过电场和击穿特性分析获得，新结构使器件击穿电压从传统结构的257V提高到550 V。
2023-03-14 16:49:23
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基于AlGaN电子阻挡层的ZnO异质结激子发光二极管的研制，李长鸣，梁红伟，通过在n-ZnO与p-GaN之间引入AlGaN电子阻挡层，在电注入下利用该种结构实现了来自于ZnO的紫外发光。该异质结结构表现出典型的二极管整流
2023-02-26 17:23:49
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数值研究了具有交错AlGaN量子阱特定设计的基于AlGaN的深紫外发光二极管（UV LED）。拟议中的具有Al0.45Ga0.55N–Al0.5Ga0.5N–Al0.45Ga0.55N和Al0.5Ga0.5N–Al0.45Ga0.55N–Al0.5Ga0.5N交错量子阱层的UV LED表现出对光的显着改善与传统的AlGaN UV LED相比，输出功率和载流子注入效率更高。通过量子阱中载流子浓度，辐射复合率和波函数重叠的模拟分布，可以解释所设计的LED的增强性能。
2022-06-27 15:49:09
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Al纳米粒子的偶极子表面等离子共振增强了基于AlGaN的深紫外探测器的响应度
2021-10-20 13:54:53
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在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统，雷双瑛，，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程的方法研究了AlGaN/GaN双量子阱中的子带间跃迁。发现AlGaN/GaN双量子阱中通过加外电场或者调节双量子
2021-03-23 14:33:11
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在已有理论基础之上，采用严格的计算方法对激光器实现太赫兹(THz)波的辐射进行了可能性分析。利用传递矩阵法，通过Matlab软件计算了基于AlGaN/GaN材料体系的三能级量子级联激光器导带子能级与电子波函数的分布，详细分析了由该材料特有的极化效应所产生的极化场，得出了在近共振条件下偶极跃迁元、外加电场、垒层Al组分及导带子能级能级差之间的关系，并研究了它们对激光器性能的影响。分析结果表明，实现受激辐射的条件非常严格，Al组分取0.15或0.16时较为适宜，同时外加电场需大于63 kV/cm，但不能过大，这样才能满足近共振条件，实现粒子数反转达到太赫兹量子级联激射。在Al组分为0.15，外加电
2021-02-09 09:06:50
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