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Electron mobility in strained wurtzite AlGaN/GaN heterojunctions with finite-thick barriers and its pressure effect
Electron mobility in strained wurtzite AlGaN/GaN heterojunctions with finite-thick barriers and its pressure effect
上传者:
38622962
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上传时间: 2024-01-10 18:58:21
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文件大小: 377KB
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文件类型: PDF
首发论文
有限厚垒应变纤锌矿AlGaN/GaN异质结中的电子迁移率及其压力效应,武维,班士良,基于力平衡方程,考虑界面和半空间模光学声子对电子的散射,讨论室温及高于室温下,有限厚垒应变纤锌矿氮化物AlGaN/GaN异质结中的电
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