关于AlGaN GaN HEMT器件的silvaco仿真代码

Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。　　新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括：　　1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍　　2. 相比于商业可用硅LDMOS，提高了工作频率　　3. 在免授权的5.8GHz ISM（工业，科学与医疗）频段和5.3GHz与5.47GHz U-NII（不需许可的国家信息基础构架）频段内的工

本文提出了一种新的直接提取方法，用于确定HEMT的寄生电容。 该方法基于物理意义上的耗尽层模型和夹断式冷FET的两端口网络的理论分析。 这种方法的主要优点是可以在不同的夹断条件下提取寄生电容C-pg，C-pd和C-pdg。 对于2 x 20 m浇口宽度HEMT（浇口指的数量x单位浇口宽度），在建模结果和测量结果之间取得了良好的一致性。

三菱公司的HEMT场效应管MGF4941AL,用于低噪声放大器的设计，工作在12GHz，具有很低的噪声性能

三菱公司的HEMT场效应管MGF4941AL,用于低噪声放大器的设计，工作在12GHz，具有很低的噪声性能

基于使LNA在5.5G~6.5G Hz频段内具有优良性能的目的，本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管，电路采用二级级联放大的结构形式，利用微带电路实现输入输出和级间匹配，通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终使得该LNA在5.5~6.5 GHz波段内增益大于20 dB，噪声小于1.55 dB，输入输出电压驻波比小于2，达到了设计指标的要求。

为了研究适合Ka波段AIGaN／GaN HEMT的栅结构尺寸，借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas，在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分对AlGaN／GaN HEMT特性的影响，包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响，以及栅金属厚度对fmax，栅场板对fT、fmax和内部电场的影响。根据典型器件结构和材料参数的仿真表明，为了提高频率并减轻短沟道效应，栅长应取0.15～0.25 μm；减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应，但会明显降低器件的饱和漏电流，综合考虑

描述HEMT晶体管ATF54143的直流、小信号、噪声特性。