这项工作首先证明了基于电子束蒸发二氧化f（HfO2）的无杂质空位扩散（IFVD）诱导的量子阱混合（QWI）。 红光二极管激光晶片具有两个6纳米厚的GaInP量子阱和三个8纳米厚的AlGaInP量子势垒的有源区。 在200℃下在二极管激光晶片的表面上蒸发出135nm厚的HfO 2膜。 QWI过程是通过在不同温度下快速热退火（RTA）20 s引起的。 发现活性区域发射波长的强度和半峰全宽（FWHM）分别随着退火温度的升高而增加和降低。 当样品在1000°C退火时，HfO2 IFVD诱导的QWI发现蓝移为18 nm。 此外，基于活性区域中的浓度分布来计算扩散长度和扩散系数，并且扩散系数值高于Zn杂质扩散诱导的QWI中的结果。