本文采用高压大带宽MOSFET运放PA92和高精度运放OP07设计了一种基于电压控制型的可动态压电陶瓷驱动电源。该驱动电源由放大电路、功率放大电路、过流保护电路和负反馈环节组成。克服了目前常用的压电陶瓷驱动电源所存在的成本高、驱动能力不足、静态纹波大等缺点。最后对实际电路的各项性能进行了测试和分析，结果表明：该电路具有良好的动态和静态性能，能够很好的满足驱动压电微位移平台的要求。

陶瓷注射成型石蜡基粘结剂热脱脂行为研究，汪重露，肖建中，根据坏体及粘结剂热重曲线确立了热脱脂过程的两个过程并制定了相应的热脱脂升温制度。结果表明：按照该制度，在210℃时，保温480min

传感器技术是现代科学技术发展水平的标志之一，而压力传感器技术是传感器技术的重要分支。目前各种类型的压力传感器，如扩散硅、电容式、硅蓝宝石、陶瓷厚膜、金属应变电式等类型，正广泛应用于国民生产的各行业以及科学技术领域。

电压对Ti-25Nb-2Zr微弧氧化法制备生物陶瓷涂层的影响，杨雪，杨贤金，本文利用微弧氧化方法，在Ti-25Nb-2Zr合金表面形成微孔结构，实验结果表明：表面氧化层呈现微米级圆形微孔；合金的表面形貌随着微弧�

中间层成分对TiAl/TiB2陶瓷SHS连接界面结构的影响，李卓然，曹健，本文采用SHS连接技术对TiB2金属陶瓷与TiAl进行了连接试验并研究了工艺参数对SHS连接接头的界面结构的影响。试验表明，不同成分的中间�

金属陶瓷刀具材料晶粒生长模型的建立，黄传真，徐立强，金属陶瓷刀具材料的力学性能与材料的晶粒大小密切相关。本文基于传统的晶粒生长动力学模型，建立了陶瓷刀具材料晶粒长大的方程，

采用柠檬酸凝胶法合成(Ag0.9Na0.1)(Nb0.6Ta0.4)O3复合氧化物纳米粉体,应用x射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和电子衍射方法对该纳米瓷粉进行了表征,并对该瓷粉烧结的陶瓷进行了SEM分析和介电性能研究;研究结果表明:该系列纳米瓷粉的合成温度为800℃,灼烧时间为3小时,瓷粉平均粒径大约为40nm,无严重的团聚现象;系统在1040℃~1060℃的范围内可烧结成致密的陶瓷,介电性能方面较固相法制备产品有明显改善,其具体表现在介电常数增大,介电损耗减小。

BZN对PZN陶瓷结构和介电性能的影响，云斯宁，王晓莉，采用BZN烧块作为添加剂来稳定钙钛矿结构PZN陶瓷，研究了(1-x)PZN-xBZN（x＝0.08, 0.10, 0.15, 0.25, 0.50）陶瓷的相结构和介电性能。首先，ZnO和Nb2

A位LiCe复合取代改性对Na0.5Bi2.5Nb2O9陶瓷性能的影响，冯元元，盖志刚，用固相反应法制备了 [(NaBi)1-x(LiCe)x]0.5Bi2Nb2O9(x=0.00, 0.04, 0.06, 0.08)高温铋层压电陶瓷材料，分析了LiCe对Na0.5Bi2.5Nb2O9压电陶瓷的影响。LiCe提�

钨青铜结构陶瓷已在许多应用中找到了重要的潜力，例如执行器，传感器，光电，铁电随机存取存储器和微波设备。 这些类型的陶瓷由于其自发极化而被广泛用于许多工业应用，并且以其高介电常数，低介电损耗，低漏电流密度，良好的热稳定性和高压电系数而闻名。 在目前的工作中，Ba5CaTi2Nb8O30（BCTN）是通过固态反应方法首次合成的。 通过X射线衍射，扫描电子显微镜（SEM），能量色散X射线分析（EDAX），LCR测量仪，PE循环示踪剂，VSM和拉曼光谱仪研究了显微结构，介电，铁电，铁磁和拉曼光谱分别。 X射线衍射研究揭示了空间群为P4bm的单相四边形结构的形成。 观察到微晶尺寸在14.4nm范围内。 BCTN化合物在不同频率下随温度变化的详细介电性能表明，样品在居里温度316°C下表现出扩散型跃迁。 PE和MH研究证实了室温下铁电和磁性并存。