经过我几天的折腾，终于把STM8的Flash读写包括在IAR下的块写等搞定了。资源分有点多，

采用STM32F429IGT6单片机，KeilMDK5.32版本 使用SysTick系统滴答定时器进行延时 LED_R、LED_G、LED_B分别为PH10,PH11,PH12 Key1为PA0，Key2为PC13 KEIL5下载配置有FLASH与SRAM 用SPI5与Flash芯片通信(W25Q256JV)，使用了DMA进行收发数据，SPI是同步通信，同时收发数据(其实仅与发TX同步，作为主器件，Tx产生波特率时钟SCK信号) 利用可变参数宏实现printf与scanf 定义了Flash输入输出结构体，利用了共用体 发送与接收缓冲区大小均为一个扇区大小4096B NSS(CS)采用软件控制，因为Flash芯片每发送玩一个指令都要把CS拉高。 注意点：因为TX产生SCK时钟，故需要TX的DMA优先级要比RX的优先级低，本次TX和RX的DMA使用的是一个DMA(DMA2)，因为当收发一个数据后，TX和RX的DMA出现仲裁，TX需要发下一个数据，RX需要接收当前数据，为了防止一直发数据，故RX的DMA优先级需要比TX的高开启RX的DMA传输完成中断，在该中断中将CS拉高，结束通讯。

最近选型使用STM32G030这款芯片，由于做的功能需要频繁读写flash，最开始没有注意到芯片的擦写次数是1000次，为了确保功能实现，只能是每次写入flash时判断当前页是否写满，写满才擦除重新开始写；每次需要写入flash的数据长度小于128字节，以128字节计算，每一页可以写入16=2048/128 次； STM32G030C8T6最少可以写入16000次；如果对写入次数需求高的，可以减少每次写入数据的长度;文档测试的是64长度，支持多长度（8的倍数）写入

CC基于DMA访问内部的Flash, 不是外部的flash

这个程序是在一个实际项目中应用前的测试程序。51单片机读写SST29SF020，2Mbit FLASH。速度至少1KB/s，程序还可以优化，速度还有较大提升空间。 附带原理图。 声明：本程序为个人原创。

前言 前面的博客描述了如何读写flash，可能还对读写flash思路还是不是那么的清晰，首先我们用的是外置的flash，就要模拟跟外部硬件通讯的时序，这样外部硬件才能识别主控侧发出的信号是什么！ SPI是全双工，同步的时钟总线！ 目的 通过SPI的方式，实现对外部flash(W25Q128)的读与写，写入的内容读出后在TFTLCD上显示出来。SPI方式可以控制FLASH,EEPROM,虽然前面的博客时使用IIC来控制EEPROM(24c02)，其实是一个结果，用不同的方式实现功能。 原理 我们来简单看一下内部的构造图： 从内部简明图可以看出，主机smart和从机slave都有一个串行移位寄存

宏晶科技用c语言实现的EEPROM完整底层驱动程序，包括擦除、读写，flash保护等

M25P16读写FLASH驱动FPGA代码，具有参考意义

此程序包括对stm32f100系列芯片的flash的读写程序，及相关初始化定义

PIC12F617单片机读写内部Flash程序。