（五）绘制电路版图 仿真完成后要根据结果用Protel软件绘制电路版图，绘制版图时要注意以下几点 偏置电路的设计和电源滤波电路的设计。 所用电路板是普通的双层板，上层用来绘制电路，下层整个作为接地。 根据版图的大小尺寸要求调整功分器两边50欧姆阻抗线的长度，便于安装在测试架上 在绘制版图时受加工精度的限制，尺寸精度到0.01 mm即可，线宽要大于0.2mm。 各个接地点要就近接地。 由于制板时实际线宽往往要比设计线宽小0.01mm左右，在绘制版图时要考虑这个问题。

两MOS管源端相同时中心对称实例 7）差分的匹配版图（一）

基于Bandgap带隙基准的电路设计与仿真：独立测试环境适合新手，包括稳定性与噪声性能分析,Bandgap 带隙基准，基准电压，参考电压带启动电路，无版图，适合新手 每个testbench都有单独的仿真状态，直接安装就可以跑了 温度特性曲线 电源抑制比psr仿真 稳定性仿真，整个环路的增益和相位怎么仿真 噪声仿真，要大概知道噪声的主要贡献来源 ,Bandgap带隙; 基准电压/参考电压; 启动电路; 无版图; 测试bench; 仿真状态; 电源抑制比(PSR); 稳定性仿真; 环路增益; 环路相位; 噪声仿真; 主要噪声来源。,新手友好型带隙基准：多模块仿真状态下稳定与噪声仿真的探究

基于Cadence的两级运算放大器设计，TSMC18工艺，增益87dB，单位增益带宽积达30MHz的仿真及版图验证,基于Cadence的两级运算放大器设计，工艺TSMC18，增益、带宽积与压摆率卓越，原理图仿真状态良好，版图通过DRC与LVS验证,两级运算放大器设计 cadence 电路设计 工艺tsmc18 低频增益87dB 相位裕度80 单位增益带宽积GBW 30MHz 压摆率 116V us 原理图带仿真状态 有版图过DRC lvs ,两级运算放大器设计; cadence电路设计; tsmc18工艺; 低频增益; 相位裕度; GBW; 压摆率; 原理图仿真; 版图DRC; lvs。,基于TSMC18工艺的两级运算放大器设计：高GBW与低相位噪声

基于Cadence 618的两级运算放大器电路版图设计（低频增益达87dB，GBW 30MHz，详尽原理图及仿真过程）,基于Cadence 618的两级运算放大器电路版图设计，涵盖工艺细节、仿真及安装指南，详尽设计文档和仿真报告，低频增益达87dB，单位增益带宽积GBW 30MHz。,两级运算放大器电路版图设计 cadence 618 电路设计 版图设计 工艺tsmc18 低频增益87dB 相位裕度80 单位增益带宽积GBW 30MHz 压摆率 16V uS 有版图，已过DRC LVS，面积80uX100u 包安装 原理图带仿真过程，PDF文档30页，特别详细，原理介绍，设计推导，仿真电路和过程仿真状态 ,两级运算放大器; 电路版图设计; 工艺tsmc18; 性能指标（低频增益、相位裕度、GBW、压摆率）; 版图; DRC LVS验证; 面积; 包安装; 原理图; 仿真过程; PDF文档。,基于TSMC18工艺的87dB低频增益两级运算放大器版图设计及仿真研究

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ic 版图设计经验总结 ic 版图设计是集成电路（IC）设计的重要步骤之一。一个良好的版图设计可以确保芯片的可靠性、性能和制造效率。在这里，我们总结了 ic 版图设计的经验总结，包括版图设计的基本原则、版图设计的步骤、版图设计的注意事项和版图设计的技巧。 版图设计的基本原则 1. 版图设计的目标是实现芯片的可靠性、性能和制造效率。 2. 版图设计应该遵守工艺规则和设计规则。 3. 版图设计应该考虑到芯片的电气特性和热特性。 4. 版图设计应该尽量减少芯片的面积和功耗。 版图设计的步骤 1. 分析电路图，了解电路的工作原理和性能要求。 2. 选择合适的工艺和设计规则。 3. 进行版图设计，包括设备的布局、连线和布线。 4. 检查和验证版图设计的正确性和可靠性。 版图设计的注意事项 1. 版图设计应该考虑到芯片的热特性和电气特性。 2. 版图设计应该遵守工艺规则和设计规则。 3. 版图设计应该尽量减少芯片的面积和功耗。 4. 版图设计应该考虑到芯片的可靠性和可维护性。 版图设计的技巧 1. 使用合适的设计工具和软件。 2. 合理安排设备的布局和布线。 3. 使用合适的连接方式和线宽。 4. 考虑到芯片的热特性和电气特性。 ic 版图设计经验总结 1. 查看捕捉点设置是否正确，08 工艺为 0.1，06 工艺为 0.05，05 工艺为 0.025。 2. Cell 名称不能以数字开头，否则无法做 DRACULA 检查。 3. 布局前考虑好出 PIN 的方向和位置。 4. 布局前分析电路，完成同一功能的 MOS 管画在一起。 5. 对两层金属走向预先订好，一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。 6. 对 pin 分类，vdd、vddx 注意不要混淆，不同电位（衬底接不同电压）的 n 井分开。 7. 在正确的路径下（一般是进到 ~/opus）打开 icfb。 8. 更改 cell 时查看路径，一定要在正确的 library 下更改，以防 copy 过来的 cell 是在其他的 library 下，被改错。 9. 将不同电位的 N 井找出来。 10. 更改原理图后一定记得 check 和 save。 11. 完成每个 cell 后要归原点。 12. DEVICE 的个数是否和原理图一至（有并联的管子时注意）；各 DEVICE 的尺寸是否和原理图一至。 13. 如果一个 cell 调用其它 cell，被调用的 cell 的 vssx、vddx、vssb、vddb 如果没有和外层 cell 连起来，要打上 PIN，否则通不过 diva 检查。 14. 尽量用最上层金属接出 PIN。 15. 接出去的线拉到 cell 边缘，布局时记得留出走线空间。 16. 金属连线不宜过长。 17. 电容一般最后画，在空档处拼凑。 18. 小尺寸的 mos 管孔可以少打一点。 19. LABEL 标识元件时不要用 y0 层，mapfile 不认。 20. 管子的沟道上尽量不要走线；M2 的影响比 M1 小。 21. 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。 22. 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。 23. 栅上的孔最好打在栅的中间位置。 24. U 形的 mos 管用整片方形的栅覆盖 diff 层，不要用 layer generation 的方法生成 U 形栅。 25. 一般打孔最少打两个。 26. Contact 面积允许的情况下，能打越多越好，尤其是 input/output 部分，因为电流较大。 27. 薄氧化层是否有对应的植入层。 28. 金属连接孔可以嵌在 diffusion 的孔中间。 29. 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度。 30. 连线接头处一定要重叠，画的时候将该区域放大可避免此错误。 31. 摆放各个小 CELL 时注意不要挤得太近，没有留出走线空间。 32. Text2、y0 层只是用来做检查或标志用，不用于光刻制造。 33. 芯片内部的电源线/地线和 ESD 上的电源线/地线分开接；数模信号的电源线/地线分开。 34. Pad 的 pass 窗口的尺寸画成整数 90um。 35. 连接 Esd 电路的线不能断，如果改变走向不要换金属层。 36. Esd 电路中无 VDDX、VSSX，是 VDDB、VSSB。 37. PAD 和 ESD 最好使用 M1 连接，宽度不小于 20um；使用 M2 连接时，pad 上不用打 VIA 孔，在 ESD 电路上打。 38. PAD 与芯片内部 cell 的连线要从 ESD 电路上接过去。 39. Esd 电路的 SOURCE 放两边，DRAIN 放中间。 40. ESD 的 D 端的孔到 poly 的间距为 4，S 端到 poly 的间距为 0.2。 41. ESD 的 pmos 管与其他 ESD 或 POWER 的 nmos 管至少相距 70um 以上。 42. 大尺寸的 pmos/nmos 与其他 nmos/pmos（非 powermos 和 ESD）的间距不够 70um 时，但最好不要小于 50um，中间加 NWELL，打上 NTAP。 43. NWELL 和 PTAP 的隔离效果有什么不同？NWELL 较深，效果较好。 44. 只有 esd 电路中的管子才可以用 2*2um 的孔。怎么判断 ESD 电路？上拉 P 管的 D。

基于umc18工艺的带隙基准电路设计与实现：含版图与文档，可变输出电压的模拟集成电路设计,带隙基准电路，含版图，含设计文档，可变输出电压 模拟集成电路设计，采用umc18工艺 ,带隙基准电路;含版图;含设计文档;可变输出电压;模拟集成电路设计;UMC18工艺,模拟集成电路设计：可变输出电压的带隙基准电路（含版图与文档） 在现代电子系统设计中，带隙基准电路作为一种重要的模拟电路模块，被广泛应用于各种集成电路中。带隙基准电路的作用是提供一个稳定的电压参考，其输出电压不随温度、工艺和电源电压的变化而变化，保证电路的稳定运行。特别是，当设计要求电路能够在不同的工作环境下保持其性能时，可变输出电压的带隙基准电路设计显得尤为重要。 UMC18工艺是一种成熟的0.18微米半导体制造工艺，它具有较高的集成度和较好的性能。在该工艺下设计带隙基准电路，不仅可以实现高精度的电压参考，还可以在保证电路性能的同时，实现较小的芯片面积和较低的功耗，这对于提高集成电路的性能和降低成本具有重要意义。 在设计可变输出电压的带隙基准电路时，需要对电路结构进行精心的考虑和设计，以确保其能够在不同的工作条件下提供稳定的电压输出。此外，设计过程中还需要考虑版图的设计，因为版图设计对于电路的性能，如温度稳定性、电源抑制比等，有着直接的影响。 在实际设计中，通常需要先通过电路仿真软件对电路进行模拟测试，验证其在不同条件下的性能表现，确保设计满足性能要求。随后，设计师会将电路设计转化为版图设计，并进行相应的物理验证和优化。版图完成后，还需生成相应的文档，详细记录电路设计和版图设计的细节，这些文档对于后续的电路测试、调试和生产都是必不可少的。 本文档集包含了从电路设计到版图设计再到文档编制的整个过程，不仅提供了可变输出电压的带隙基准电路的设计方案，还包含了详细的实现过程和相应的版图以及设计文档，对于希望掌握带隙基准电路设计的工程师或研究人员来说，具有极高的参考价值。 此外，本文档集还涉及了UMC18工艺的特定要求和特点，如何在这一工艺下实现电路设计，包括对工艺库的了解、工艺参数的选取、电路元件的布局和连线等，这些都是设计高性能带隙基准电路时不可忽视的因素。通过本文档集的阅读，读者将能够全面了解基于UMC18工艺的带隙基准电路设计的全过程，以及如何解决在设计过程中可能遇到的各种技术问题。 文档集还提供了相关的图片资源，如电路仿真结果图、版图布局图等，这些图片资料可以直观地展示电路的设计效果和版图的实现情况，有助于读者更好地理解和吸收文档中的信息。整体而言，本文档集是一份极为详细且具有实用价值的设计资料，对于电路设计人员而言，是一份宝贵的参考文献。

3．5版图设计 版图设计是电路设计中非常重要的一个环节，版图设计的好坏直接决定了最终产品能否达到电 路设计者所期望的性能指标。本设计中的版图是基于新加坡特许半导体(Chartered)O．18pm CMOS 工艺库，在Cadence环境下使用Virtuoso设计完成。下文详细阐述了本论文版图设计中关注的要点 以及相关设计方法。 3．5．1 设计规则 1)版图的对称性 由于该VCO采用差分结构，因此版图的对称性非常重要。首先，在单个VCO中，若不能保证 对称性，则差分输出信号的相位会存在偏差，这会给后级电路(Divider)的工作造成不良影响。而 且，根据第二章所述，对称的输出波形可以降低闪烁噪声对相位噪声的影响。 输出Buffer、电流镜等电路中也同样要注重对称性的设计。尽管一些失配不可避免，但如果不 充分注意版图中的对称性，就可能产生大的失调电压。且对称性设计还可以抑制共模噪声和偶次非 线性效应121J。 版图匹配性设计主要考虑以下六方面原则14纠： a)结构相同。有源器件、电阻、电容、电感相互匹配时，其电路结构及工艺都需要相同。 b)等温线相同。器件的参数很多是对温度敏感的，所以匹配器件必须有相同的本地温度。大功 率器件会在芯片内作为一个热源散发热量，所以版图设计时尤其要注意将需要匹配的器件放在大功 率器件的等温线上。 c)尺寸形状相同。对于电阻版图设计而言，两个要求匹配的电阻需要采用相同的宽长比以及方 块数，如果电阻有拐角的话，就需要具有相同的拐角数，相同的每一段尺寸。对于MoS管版图设 计而言，可以将它们设计成具有不同并联数目的两个管子来得到一个比较精确的比值。 d)采用共质心结构。质心可以简单地理解为质量均匀点，共质心布局可以减小工艺上的随机误 差。 e)方向相同。由于各向异性的工艺步骤会引起工艺参数的不对称性，同时硅衬底本身也具有各 向异性的特性，因此，匹配器件采用方向相同的布局可以减小工艺带来的各项异性问题。 f)周边环境相同。通过添加虚拟器件可以使有用器件工作环境相同，可避免由于工作环境不同 导致的失配。 2)寄生效应 模拟集成电路设计中，寄生参数对电路性能会有较大的影响，在高频下尤其明显。因此，在版 图设计中，应尽量减小寄生效应。 在VCO的版图设计中，通常重点关注与谐振回路相关的部分。首先来看交叉耦合管。晶体管 多晶硅栅的电导率远低于铝线，因此多晶硅栅的寄牛电阻往往不能忽略。如果栅电阻较大，就相当 于在电路中加入了一个噪声源，这会恶化电路的噪声性能。采用折叠结构可以改善这种情况。如图 3．15所示，(a)图为一个宽长比为W／L的大尺寸MOS管，假设栅电阻为2R。(b)图中用两个宽长比 为W／2L的MOS并联来替代它，那么栅电阻就变成两个R的并联，即R／2，相差4倍。折叠式结构 还可以减小源／漏区与衬底之间的结电容。对于图3-15(a)qb晶体管，有 C肋=Css=WEC，+2(W+E)Cj． (3．10) 其中Cj是与结底部相关的下极板单位面积电容，Cj洲是由于结周边引起的侧壁单位长度电容。 对于图3．15(b)有 形 矽 c脚=二三■EC，+2(三■+e)c胁 z z (3．11) 31

在电子设计领域，Advanced Design System（ADS）是一款广泛使用的射频和微波电路设计软件，尤其在天线、滤波器、放大器等高频组件的设计中不可或缺。本篇将聚焦于一个具体的工程案例——利用RFPro进行近场仿真来确认版图缺陷。我们来详细了解ADS的基本功能和RFPro模块。 ADS是Keysight Technologies（原Agilent Technologies）开发的一款综合性的射频和微波电路设计工具。它包含电路模拟、电磁场仿真、系统级集成等多个模块，为设计师提供了一个全面的设计环境。RFPro是ADS中的一个重要部分，专注于三维近场和远场电磁仿真，适用于天线、馈线网络以及互连组件的分析。 在“ADS使用记录之使用RFPro的近场仿真确认版图缺陷”这个工程案例中，设计师可能遇到了版图设计的问题，比如布线不合理、过孔设计不当或者接地布局不佳等，这些都可能导致信号完整性问题和性能下降。RFPro通过近场仿真可以帮助检测这些潜在的缺陷，因为它能提供比S参数更直观的场分布信息。 近场仿真是通过计算天线或传输线周围的电磁场分布来实现的。在RFPro中，用户可以设置仿真区域、网格密度、频率范围等参数，以获取精确的近场数据。这些数据可以用来评估辐射模式、电流分布、电场强度以及磁场强度等，从而揭示版图设计中的问题。 在执行近场仿真之前，首先需要创建一个完整的ADS工程，包括定义电路模型、设置材料属性、导入版图信息等步骤。一旦模型建立完成，就可以调用RFPro模块进行仿真。仿真结果通常以彩色等值线图或矢量场图的形式显示，便于直观地识别热点和异常区域。 在这个名为"MyWorkspace_LowpassMatch_Design"的工程文件中，我们可以看到一个低通匹配网络的设计。设计师可能在试图优化匹配网络的性能，确保输入和输出端口的反射系数尽可能小，同时满足特定带宽内的频率响应。通过RFPro的近场仿真，他们能够检查天线、馈线以及周围结构对信号传播的影响，找出任何可能导致不理想性能的因素。 在实际操作中，设计师可能需要反复迭代设计，调整版图布局，甚至引入优化算法来自动寻找最佳解决方案。每次修改后，都需要重新进行RFPro仿真，对比新旧结果，直至满足设计要求。 总结来说，通过ADS与RFPro的结合使用，设计师能够深入理解版图设计的潜在问题，从而提高射频组件的性能。这个案例展示了如何利用近场仿真技术来识别和解决版图中的缺陷，对于提升电子产品的质量和可靠性具有重要的实践意义。