ALGOLTEK（安格） AG9311MAQ是一款高度集成的解决方案，通过USB Type-C将视频和音频从DisplayPort alternate mode传输到HDMI输出。AG9311MAQ支持各种@1.62Gbps、2.7Gbps和5.4Gbpsup通到DisplayPort 1.2，支持1路2路通道；HDMI支持4K/2K@30Hz输出。用户可以轻松地将AG9311MAQ集成到视频转换适配器和扩展坞上。 AG9311MAQ应用方式 USB Type-C 转换器 USB Type-C扩展坞 AG9311MAQ设计框图 AG9311MAQ参数对比

2016年可谓是快充手机大放异彩的一年，快速充电功能基本上在中高端机型上全面普及，甚至部分千元以下机型也有配备。在手机电池容量难以有大的突破的背景下，快速充电功能成为消费者和厂家都很重视的一个点，“充电X分钟、通话X小时”的广告语想必大家耳朵都听出茧了。简单来说充电功率P=充电电压U×充电电流I，所以稍微深入一点去观察的话，会发现市面主流快速充电方案分为高压快充、低压快充两种，前者以高通QC2.0/QC3.0、mtk PE+1.0/2.0为代表，占据了相当大的一部分份额，后者以OPPO的VOOC闪充技术为代表自成一派。然而走到了2016年末这个环节，低压大电流快充似乎占了上风，下面给大家盘点一

氮化镓（GaN）是一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，意味着GaN器件的临界电场强度大于硅。对于相同的片上电阻和击穿电压，GaN的尺寸更小。GaN还具有极快的开关速度和优异的反向恢复性能。 一、氮化镓（GaN）器件介绍:GaN器件分为两种类型: 耗尽型:耗尽型GaN晶体管常态下是导通的，为了使它截止必须在源漏之间加一个负电压。 增强型:增强型GaN晶体管常态下是截止的，为了使它导通必须在源漏之间加一个正电压。 GaN VS MOSFET: 他们的关键参数都是导通电阻和击穿电压。GaN的导通电阻非常低，这使得静态功耗显著降低，提高了效率。GaN FET的结构使其输入电容非常低，提高了开关速度。意味着GaN具有更高的效率，并可以使用更少的电磁学和被动元件。 二、手机快充介绍:能在极短的时间内（0.5-1Hr）使手机电池达到或接近完全充电状态的一种充电方法。 实现手机快速充电方法: 1.电压不变，提高电流； 2.电流不变，提升电压； 3.电压、电流均提高。 手机快速充电技术目前分为“高压小电流快充”和“低压大电流快充”两种方案。VOOC闪充和Dash闪充属于后者“低压大电流快速充电”。快速充电对手机电池的寿命没有影响，现在的电池都可以承受大电流。 三、氮化镓（GaN）快充:氮化镓（GaN）快充在已有的快充技术上通过改用氮化镓（GaN）核心器件，将手机快速充电器做到功率更大、体积更小、充电速度更快。 氮化镓（GaN）快充方案包含两个部分，充电器部分和电源管理部分 充电器部分:充电管理芯片根据锂电池充电过程的各个阶段的电器特性，向充电器发出指令，通知充电器改变充电电压和电流，而充电器接收到来自充电管理系统的需求，实时调整充电器的输出参数，配合充电管理系统实现快速充电。 电源管理部分:相应的芯片置于移动智能终端内，有独立的电源管理芯片，也有的直接集成在手机套片中，电源管理芯片对锂电池的整个充电过程实施管理和监控，包含了复杂的处理算法，锂电池充电包括几个阶段:预充阶段、恒流充电阶段，恒压充电阶段、涓流充电阶段。 转载自唯样电子资讯。

本文件包含有，原理图，pcb图，Ｉ２Ｃ程序，还有芯片相关文档，SW6124是整合PD3.0的全协议快充移动电源单芯片，全面支持高通、联发科、华为、展讯、三星等多平台的全部快充协议，

苹果20W快充方案

ti 的 USB TYPE-C 快充方案，里面方案详细可以供大家学习参考。 基于USB Type-C 的快速充电解决方案，接口电源角色 根据 USB PD的规定, 端口的角色是可以灵活协商变动的. Provider: 设备只提供供电 Consumer: 设备只接受电源 Consumer provider: 设备既供电又受电. 设备支持 USB PD USB Type-C 接口可以支持高达 100W 供电!