从调整电路结构着手，介绍了一种可变输出电压的基准源。这种基准电压能够在保持相对较小的电源电压和温度敏感度的情况下实现可调输出电压。

带隙基准课件，模拟集成电路的圣经，西工大亲情奉献。

设计了一种结构简单的基于IDO稳压器的带隙基准电压源。由于目前LDO芯片的面积越来越小，所以在传统带隙基准电压源的基础上，对结构做了简化及改进，在简化设计的同时获得了高的性能。该带隙基准使用三极管作为运算放大器的输入，同时省去了多余的等效二极管，并将此结构应用于LDO结构中。对带隙基准的仿真结果表明，在5V的电源下，产生25×10-6/℃温度系数的带隙基准电压。低频时电源抑制比为138dB。将该带隙基准结合缓冲器应用于LDO稳压器中，对LDO的仿真结果表明，负载特性良好，相位裕度为63.3度。线性负载率也

0 引言 　　基准电压是数模混合电路设计中一个不可缺少的参数，而带隙基准电压源又是产生这个电压的最广泛的解决方案。在大量手持设备应用的今天，低功耗的设计已成为现今电路设计的一大趋势。随着CMOS工艺尺寸的下降，数字电路的功耗和面积会显著下降，但电源电压的下降对模拟电路的设计提出新的挑战。传统的带隙基准电压源结构不再适应电源电压的要求，所以，新的低电压设计方案应运而生。本文采用一种低电压带隙基准结构。在TSMC0．13μmCMOS工艺条件下完成，包括核心电路、运算放大器、偏置及启动电路的设计，并用Cadence Spectre对电路进行了仿真验证。 　　1 传统带隙基准电压源的工作原理 　

依据带隙基准原理，采用华润上华（CSMC）0.5 μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，设计了一种用于总线低电压差分信号（Bus Low Voltage Differential Signal，简称BLVDS）的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明，在电源电压VDD=3.3 V，温度T=25℃时，输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时，输出电压的温度系数为20 pm/℃，电源电压的抑制比δ（PSRR）=-58.3 dB 。

 在专用医学微弱信号放大电路中，需要非常精准的电压源，为此，提出了一种新型的带隙基准电压源，采用低温补偿和高温补偿相结合的温度补偿方式，输出带隙基准电压为1.109 V，在-40~125 ℃范围内的温度系数为0.445~0.604 ppm/℃。同时采用了预稳压器来提高电路的PSR（电源抑制），使得PSR在10 Hz时为-127.5 dB，在100 kHz时达到-63 dB。文中设计的电路静态电流只有10 μA，消耗的功耗在36 μW左右。该带隙基准电路还有不随工艺变化的特点，工艺差别使输出电压最大产生61.5 μV的变化。

系统介绍带隙基准实现机理并对版图和前后仿真要求作出简要总结

为了在更高的电源电压下工作，并便于匹配网络的设计，电路采用两级共源共栅架构。采用自偏置技术放宽功放的热载流子降低的限制并减小采用厚栅晶体管所带来的较差的射频性能。同时使用带隙基准产生一个稳定且独立于工艺和温度变化的直流基准。采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺进行设计，该功率放大器的中心工作频率为2.45 GHz，并利用Cadence公司的spectreRF进行仿真。

提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源。电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器，而是采用负反馈技术实现电压箝位，简化了电路结构；输出部分采用调节型共源共栅结构，保证了高的电源抑制比。整个电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现，并用HSPICE进行仿真，结果表明所设计的电路在-45℃～125℃范围内的温度系数为12.9×10-6/℃，频率为10Hz时的电源抑制比为67.2dB。该结构可应用于高速模数转换器的设计中。

为了减小带隙基准源的温度系数和提高温度补偿的灵活性，设计了一种改进型分段线性补偿方法。利用双极型晶体管的温度非线性在整个温度区域内产生7段不同斜率的补偿电流，通过电流模形式对基准电压的高阶温度分量进行叠加，进而对带隙基准电压实现精确温度补偿。基于0.25 μm BCD工艺设计了一款低温漂高精度的带隙基准源。HSPICE仿真结果表明，在5 V电源电压下，在-40 ℃～125 ℃温度范围内，基准电压的温度系数为0.37×10-6/℃，低频时电路的电源抑制比为-85 dB。电源电压在2 V～5 V范围内，基准电压的线性调整率为0.09 mV/V。