SMIC 130nm工艺经典低压带隙基准Banba电路设计与仿真分析

上传者: KGzMOlnjWtUw | 上传时间: 2025-12-27 20:35:11 | 文件大小: 2.25MB | 文件类型: ZIP
内容概要:本文详细介绍了基于SMIC 130nm工艺的经典低压带隙基准Banba电路设计及其仿真分析。文中涵盖了电路设计的具体参数(如VDD=1.5V,输出电压890mv),电路结构(包括两个bandgap电路和二级密勒补偿运放)以及电流模结构的特点。通过前仿真,电路表现出高精度和稳定性,ppm值为22.7。此外,文章还讨论了工艺选型建议和技术发展方向,强调了电路设计的实际应用前景。 适合人群:从事模拟集成电路设计的研究人员、工程师及相关专业学生。 使用场景及目标:适用于对低压带隙基准电路设计感兴趣的读者,旨在帮助他们理解和掌握相关的设计方法和技术要点,提升电路设计能力和仿真技能。 其他说明:本文不仅提供了详细的电路设计思路,还包括了仿真结果的解读和对未来研究方向的展望,有助于读者全面了解该领域的最新进展和发展趋势。

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[{"title":"( 7 个子文件 2.25MB ) SMIC 130nm工艺经典低压带隙基准Banba电路设计与仿真分析","children":[{"title":"SMIC 130nm工艺经典低压带隙基准Banba电路设计与仿真分析.pdf <span style='color:#111;'> 111.63KB </span>","children":null,"spread":false},{"title":"完整版图的SMIC130nm工艺下的经典低压带隙基准Banba电路,带有两个不同的二级密勒补偿运放,.docx <span style='color:#111;'> 37.40KB </span>","children":null,"spread":false},{"title":"模拟集成电路","children":[{"title":"2.jpg <span style='color:#111;'> 423.97KB </span>","children":null,"spread":false},{"title":"1.jpg <span style='color:#111;'> 216.64KB </span>","children":null,"spread":false},{"title":"5.jpg <span style='color:#111;'> 216.06KB </span>","children":null,"spread":false},{"title":"3.jpg <span style='color:#111;'> 259.16KB </span>","children":null,"spread":false},{"title":"4.jpg <span style='color:#111;'> 84.38KB </span>","children":null,"spread":false}],"spread":true}],"spread":true}]

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