化学机械抛光中晶圆/抛光垫表面接触分析，杜诗文，蒋名国，基于接触力学和流体动力学理论分析了抛光过程中的摩擦学行为，建立了简化的化学机械抛光过程中的有限元模型。通过工艺参数、材料
2022-06-27 16:46:20
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基于耦合计算流体力学和计算散体力学的方法，利用PFC3D软件模拟了复合磨粒抛光液化学机械抛光(CMP)中抛光液固液两相流的流动行为。通过2个数值实验并将其与他人实验数据进行对比，验证了利用PFC3D软件模拟纳米两相流问题的可行性。对CMP过程进行了数值模拟，解释了一些实验中观测到的现象。
2022-06-27 16:43:29
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英特尔公司的化学机械抛光培训材料（Chemical Mechanical Polishing (CMP)），CMP是先进半导体工艺必不可少的工艺，该材料系统完整的介绍了该工艺机台，配件，原料，工艺问题以及对环境的影响等各个方面的内容，很适合将要从事半导体制造行业的毕业生或者相关工程师学习和参考。
2021-11-04 15:02:24
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针对特殊有源区图形设计的Direct STI CMP工艺控制方式优化，张守龙，程秀兰，本文根据实际生产需求，解决了特殊有源区图形设计的产品在Direct STI CMP生产中无法通过终点探测技术(EPD)进行工艺控制的问题。通过分��
2021-10-08 16:46:22
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行业资料-电子功用-一种氮化镓晶片光电化学机械抛光液及抛光方法.pdf
2021-09-11 09:02:49
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