STM32F405是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于ARM Cortex-M4内核的微控制器，其内部集成了丰富的外设，包括一个高性能的内部Flash存储器。在嵌入式开发中，理解和高效利用STM32F405的内部Flash对于系统运行、程序存储和数据持久化至关重要。 我们来看`STMFLASH_STM32F405`这个标题，它暗示了这个压缩包中的内容可能与STM32F405的Flash编程有关。`stmflash.c`和`stmflash.h`这两个文件是C语言源代码和头文件，通常包含用于访问和操作STM32F405内部Flash的函数和定义。这些函数可能包括读取、写入和擦除Flash的操作，以及错误处理和状态检查等。 在STM32F405的内部Flash中，数据以页为单位进行操作。每一页的大小通常是2K或4K字节，而整个Flash的容量可以达到128KB到1MB不等，这取决于具体型号。Flash编程有以下几个关键步骤： 1. **初始化**：在对Flash进行任何操作之前，需要配置闪存控制寄存器（FLASH_CR），设置适当的编程、擦除速度和保护模式。 2. **擦除操作**：擦除操作通常涉及清除整个扇区或整个Flash。扇区大小在16KB到128KB之间，具体取决于器件。在擦除之前，需要确保Flash没有被锁定，并且要先执行擦除命令。 3. **编程操作**：编程是指将数据写入Flash。每个字节或半字都可以独立编程，但通常以半字或字为单位进行。编程前，需要检查待编程区域是否已被擦除。 4. **编程和验证**：写入数据后，需要通过比较写入值和读回值来验证编程是否成功。如果读回的值与写入的值一致，则编程成功。 5. **错误处理**：在编程过程中可能会遇到各种错误，如编程/擦除故障、校验错误等。需要设置中断和标志位来捕获这些错误并采取相应措施。 6. **保护和解锁**：为了防止意外修改Flash，STM32F405提供了多种保护机制，如选项字节区保护、扇区保护等。在进行任何Flash操作前，必须确保已正确解锁。 7. **功耗管理**：在编程和擦除过程中，Flash会产生较高的电流。因此，在电池供电的应用中，应考虑使用低功耗模式并在操作完成后及时恢复。 通过`stmflash.c`和`stmflash.h`提供的API，开发者可以方便地实现上述功能，比如`flash_erase_sector()`用于擦除扇区，`flash_write_page()`用于编程页，`flash_read()`用于读取数据，以及`flash_unlock()`和`flash_lock()`用于解锁和锁定Flash。 理解并熟练使用这些API对于编写高效、可靠的STM32F405 Flash管理代码至关重要。开发者可以根据具体需求进行优化，例如增加错误恢复机制，提高编程速度，或者实现安全的数据存储策略。在实际应用中，这些工具和方法可以广泛应用于固件更新、系统配置存储以及日志记录等功能。

STM32是一款基于ARM Cortex-M内核的微控制器，广泛应用于嵌入式系统设计。STM32H库是STMicroelectronics公司为STM32系列MCU提供的开发支持库，它包含了许多功能强大的函数，便于开发者进行高效编程。在这个主题中，我们将深入探讨如何使用STM32H库进行内部FLASH的读写操作以及结构体数组的数据存取。 内部FLASH在STM32中是用于存储程序代码、配置数据或非易失性数据的重要部分。它的优势在于断电后仍能保持数据，因此常用于保存设置信息或长期存储。下面将详细解释如何进行读写操作： 1. **内部FLASH的读操作**：读取内部FLASH非常简单，因为Cortex-M处理器可以直接从FLASH执行代码。但如果你需要在运行时读取某个特定地址的数据，可以使用`HAL_FLASH_Read()`函数。该函数接受一个地址和数据缓冲区指针作为参数，然后将指定地址的数据复制到缓冲区。 2. **内部FLASH的写操作**：写入内部FLASH涉及到擦除和编程两个步骤。你需要使用`HAL_FLASHEx_Erase()`函数来擦除特定的扇区，确保要写入的区域为空。然后，使用`HAL_FLASH_Program()`函数将新数据写入指定地址。注意，写操作通常有最小编程单位限制，比如在STM32F1系列中通常是2个字节。 结构体数组的写入与读取在实际应用中非常常见，例如保存用户设置或设备状态。以下是如何操作： 1. **结构体数组的写入**：你需要定义一个结构体类型，包含你需要存储的字段。然后，创建一个结构体数组并填充数据。写入FLASH前，将结构体数组转换成字节数组，因为内部FLASH只能按字节写入。使用`HAL_FLASH_Program()`函数，按字节或半字节写入数组的每个元素。 2. **结构体数组的读取**：在读取时，首先分配相同大小的内存空间来接收读取的数据。然后，使用`HAL_FLASH_Read()`函数读取FLASH中的字节序列，并根据结构体大小和排列顺序解析成对应的结构体数组。注意，不同平台的字节序可能会有所不同，可能需要进行字节序转换。 在进行FLASH操作时，需要注意以下几点： - **保护机制**：STM32具有保护机制，防止意外擦除或修改某些区域。在写操作前，需要检查和设置适当的保护状态。 - **错误处理**：`HAL_FLASH_*`函数返回的状态码能够提供操作结果，如成功、繁忙、错误等。必须正确处理这些返回值，避免程序异常。 - **等待状态**：写入和擦除操作可能需要一段时间，因此在调用相关函数后，通常需要等待操作完成。 理解并熟练掌握STM32H库的内部FLASH读写操作及结构体数组的存取是开发STM32应用的关键技能。通过合理使用这些功能，你可以构建可靠且高效的嵌入式系统。

CORTEX-M系列处理器内部FLASH下载算法模板

STM32通过PVD掉电检测实现，然后读写内部flash实现掉电数据存储的代码

升级流程：按下KEY1按键上电，进升级模式。连接电脑会出现优盘、将需要升级的文件考入，按下KEY2会进行文件校验以及升级跳转。 使用STM32F103VET6 野火指南者开发板、cubeMX配置 包含 bootloader 以及 app、bin文件添加info用的工具。

研究了下LPC2138通过IAP读写内部512K的FLASH 为进行参数设置，ROM切换等等工作作准备。开发板晶振为12M 其实IAP频率设置不对也可运行。注意压缩包内图片上的设置选项。

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STC单片机内部FLASH读写程序.docx

基于GD32F130的IAP程序，包括BootLoader，APP，内部flash读写操作