ArF光刻机偏振照明系统中需要采用偏振器件（沃拉斯顿棱镜），根据传统技术选用在193 nm波长透明材料设计沃拉斯顿棱镜，其分束角较小，或者分束角大时棱镜较长。为了解决这些实际问题，利用折射定律分析推导了由正晶体构成沃拉斯顿棱镜的分束角公式，还分析推导了由两种正晶体构成沃拉斯顿棱镜的分束角公式。经过分析比较，由两种正晶体构成沃拉斯顿棱镜的分束角比由单一正晶体构成沃拉斯顿棱镜有较大的提高。设计了一种用于193 nm波长的分束角达到约10°的偏振分光沃拉斯顿棱镜，另外还设计了一种用于193 nm波长的仅仅输出一束线偏振光的沃拉斯顿棱镜。这两种棱镜采用两种正晶体制作，棱镜长度适中，有利于偏振照明系统装置整体的紧凑化。

研究一种步进扫描投影光刻机工作台扫描运动超精密轨迹规划算法及误差控制策略。在分析三阶扫描运动与步进运动 轨迹规划异同点的基础上，提出三阶扫描运动轨迹规划算法。针对扫描运动精确性与严格同步性要求，分析扫描运动轨迹规 划误差补偿的几个关键问题。根据扫描运动轨迹算法离散实现存在的误差，结合内部整数积分策略，提出扫描运动轨迹规划 加减速段与扫描速度稳定段运动距离的离散积分策略误差控制方法。此外，为克服切换时间圆整引起的扫描曝光匀速段位置 误差，提出一种基于常速扫描运动段位置修正因子的误差补偿方法。以上方法共同实现光刻机工作台扫描运动轨迹规划精度 控制。实例证明提出算法是有效和精确的。该算法成功应用于100 r蚰步进扫描投影光刻机工作台的超精密运动控制系统中。

半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生产中需要进行20-30次的光刻，耗时占到IC生产环节的50%左右，占芯片生产成本的1/3。 此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶，就实现了电路图从掩模到硅片的转移。 负性光刻使用的光刻胶在曝光后会因为交联而变得不可溶解，并会硬化，不会被溶剂洗掉，从而该部分硅片不会在后续流程中被腐蚀掉，负性光刻光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。 光刻机涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术，是所有半导体制造设备中技术含量

浸没光刻机浸液温控系统设计分析与实现.pdf浸没光刻机浸液温控系统设计分析与实现.pdf浸没光刻机浸液温控系统设计分析与实现.pdf浸没光刻机浸液温控系统设计分析与实现.pdf浸没光刻机浸液温控系统设计分析与实现.pdf

Extreme ultraviolet lithography (EUVL) is the principal lithography technology-beyond the current 193-nm-based optical lithography-aiming to manufacture computer chips, and recent progress has been made on several fronts: EUV light sources, scanners, optics, contamination control, masks and mask handling, and resists. This book covers the fundamental and latest status of all aspects of EUVL used in the field. Since 2008, when SPIE Press published the first edition of EUVL Lithography, much progress has taken place in the development of EUVL as the choice technology for next-generation lithography. In 2008, EUVL was a prime contender to replace 193-nm-based optical lithography in leading-edge computer chip making, but not everyone was convinced at that point. Switching from 193-nm to 13.5-nm wavelengths was a much bigger jump than the industry had attempted before. It brought several difficult challenges in all areas of lithography-light source, scanner, mask, mask handling, optics, optics metrology, resist, computation, materials, and optics contamination. These challenges have been effectively resolved, and several leading-edge chipmakers have announced dates, starting in 2018, for inserting EUVL into high-volume manufacturing. This comprehensive volume comprises contributions from the world's leading EUVL researchers and provides the critical information needed by practitioners and those wanting an introduction to the field. Interest in EUVL technology continues to increase, and this volume provides the foundation required for understanding and applying this exciting technology. This book is intended for people involved in one or more aspects of EUVL, as well as for students, who will find this text equally valuable.

光刻机作为前道工艺七大设备之首（光刻机、刻蚀机、镀膜设备、量测设备、清洗机、离子注入机、其他设备），价值含量极大，在制造设备投资额中单项占比高达23%，技术要求极高，涉及精密光学、精密运动、高精度环境控制等多项先进技术。光刻机是人类文明的智慧结晶，被誉为半导体工业皇冠上的明珠。

TWINSCAN:trade_mark: XT:1700iThe XT:1700i with HydroLith immersion technology delivers the world’s first 1.2 hyper NA for high-volume manufacturing at the 45-nm node. This innovative lithography system leverages TWINSCAN dual stages and an advanced, in-line catadioptric lens to deliver unrivalled resolution, d

周虎明 韩隽(中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035)摘要：光刻机的匹配使用是半导体工艺大生产线上提高生产效率的一项重要措施。光刻机的匹配主要包括场镜误差的匹配和隔栅误差的匹配，如何调整相同型号光刻机的匹配使用将是本文论述的重点。 关键词：套刻精度；误差；匹配；调整中图分类号：TN305 文献标识码：A1引言在超大规模集成电路圆片工艺生产线上，往往投入多台光刻机同时使用，有相同型号的多台光刻机，也有不同型号光刻机同时运行。同时随着不同工艺平台的发展(例如：从2μm生产平台逐步升级为1.2μm，1．0μm，0．8μm，0．5μm生产平台)。光刻机性能也不断地产生相应的升级；G

本文档是荷兰光刻机公司ASML的内部硅片传输分系统的控制系统设计文档，对了解光刻机内部知识以及控制系统设计有较大的帮助

ASML Scanner 光刻机介绍