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An investigation into effects of Argon annealing temperature on characterization of SILAR-deposited CuInS2 film
An investigation into effects of Argon annealing temperature on characterization of SILAR-deposited CuInS2 film
上传者:
38727579
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上传时间: 2024-02-24 09:28:05
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文件大小: 713KB
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文件类型: PDF
首发论文
SILAR法CuInS2的Ar气氛热处理行为研究,石勇,薛方红,连续离子吸附反应(SILAR)法在铜铟硫薄膜制备中具有成本低、条件温及组成结构易控等优势,而后期热处理过程可以显著改善铜铟硫沉�
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