基于3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1，2，4-triazole(TAZ)制备的薄膜电阻的磁效应 (2013年)

工程技术论文

讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB(55-x nm)/Alq3(45 nm)/TAZ(x nm)/LiF(0．5 nm)/Al的器件的磁效应。在室温下研究了x分别取0、5、10、15 nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关系。结果表明，x=0 nm时，在10 V电压下，电阻率变化率△ρ/ρ随磁场强度的增大而增大；当磁场强度B=110 mT时，△ρ/ρ达到最大，仅为8．22％。当x分别取5、10、15 nm时，△ρ/ρ为随磁场的增大而减小；在相同磁场强度下，2越大，△ρ/ρ越大；当 B=110

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